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用MOCVD法制备TiO_2薄膜.pdf
34 2 Vol. 34 No. 2
2003 3 JOU RNAL OF T AIYUAN U NIVERSITY OF TECHNOLOGY M ar . 2003
: 1007- 432( 2003) 02-0222-04
用 法制备 2 薄膜
M OCVD T iO
崔丽萍, 张建明
( 太原理工大学 化学工程与技术学院, 山西 太原030024)
: 用低压MOCVD 法, 以四异丙纯钛为源物质, 高纯氮气作为载气, 氧气为反应气体, 制
备 了T iO2 薄膜。考察 了沉积温度、基片距离均对沉积速率有影响, 发现在不同反应条件下
TiO2 薄膜生长行为受动力学控制或受扩散控制。
: 二氧化钛; 薄膜; 化学气相沉积
+
: T Q134. 1 1: A
( Chemical Vapor Deposition, ,
CVD) ,
( , ,
) N2
3 :
, , ,
;
, (TT IP) ,
, T T IP ; ,
,
( Physical Vapor Deposition, 2 结果与讨论
PVD) , 2. 1
CVD 1
CVD CVD 1 ,
, T iO2
( M OCVD) , ,
, TT IP
, T TIP
1 实 验 , 250 ,
1. 1 1. 0 cm 2. 5 cm
HD-300 ; ; ; ,
( 250 ) , T TIP T iO2
1. 2 , 2. 5 cm ,
, T T IP ,
, 1. 0 cm 2. 5 cm
: 2002-0 -16
: ( 1 64- ) , , , ,
2 : MOCVD T iO2
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