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2017-08-17 发布于湖北
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用MOCVD法制备TiO_2薄膜.pdf

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34 2 Vol. 34 No. 2 2003 3 JOU RNAL OF T AIYUAN U NIVERSITY OF TECHNOLOGY M ar . 2003 : 1007- 432( 2003) 02-0222-04 用法制备 2 薄膜 M OCVD T iO 崔丽萍, 张建明 ( 太原理工大学化学工程与技术学院, 山西太原030024) : 用低压MOCVD 法, 以四异丙纯钛为源物质, 高纯氮气作为载气, 氧气为反应气体, 制备了T iO2 薄膜。考察了沉积温度、基片距离均对沉积速率有影响, 发现在不同反应条件下 TiO2 薄膜生长行为受动力学控制或受扩散控制。 : 二氧化钛; 薄膜; 化学气相沉积 + : T Q134. 1 1: A ( Chemical Vapor Deposition, , CVD) , ( , , ) N2 3 : , , , ; , (TT IP) , , T T IP ; , , ( Physical Vapor Deposition, 2　结果与讨论 PVD) , 2. 1 CVD 1 CVD CVD 1 , , T iO2 ( M OCVD) , , , TT IP , T TIP 1　实　验 , 250 , 1. 1 1. 0 cm 2. 5 cm HD-300 ; ; ; , ( 250 ) , T TIP T iO2 1. 2 , 2. 5 cm , , T T IP , , 1. 0 cm 2. 5 cm : 2002-0 -16 : ( 1 64- ) , , , , 2 : MOCVD T iO2