碳纳米管薄膜阴极制备与场发射性能研究.pdf

中文摘要 碳纳米管具有优异的电学、力学和热学性能，在场发射平板显示领域显示出 诱人的应用前景。但是，碳纳米管在发射点密度、发射稳定性和均匀性等方面的 性能都不够理想，碳纳米管场发射性能的改善是其走向产业化的重要一步。本论 文以改善碳纳米管场发射性能为研究目的，从碳纳米管阴极制各工艺的改进与优 化、阴极薄膜的后处理等方面开展了一系列工作，得出了一些有意义的研究成果。 利用纳米银的低温熔接性和良好导电性，首次以纳米银作为导电材料和粘结 剂，在低的烧结温度 2500C 下，利用涂敷法制成了表面平整、导电性和场发射 性能良好的碳纳米管冷阴极。当混合浆料中碳纳米管与纳米银的质量比率为1：2 时，碳纳米管阴极具有最好的场发射性能；过高和过低的纳米银掺入量均会使场 发射性能变差。进一步优化了碳纳米管／纳米银阴极膜的制备工艺，采用两步涂 敷法，制得了双层结构的碳纳米管／纳米银阴极膜，明显增强了碳纳米管与基底 的附着力，提高了碳纳米管的场发射性能。 采用电泳法沉积碳纳米管薄膜，首次系统研究了各种电泳工艺条件对沉积的 碳纳米管薄膜场发射性能的影响，获得了利用电泳法沉积碳纳米管薄膜的较优化 的工艺条件和工艺细节；研究了各种测试参数对碳纳米管场发射的影响，随测试 时阴阳极间距的增加和系统真空度的提高，碳纳米管薄膜的开启电场和阈值电场 增大，但发射稳定性明显改善。分析了碳纳米管场发射F-N曲线的非线性现象。 从降低表面功函数和增强碳纳米管与基底之间附着力的角度改善电泳沉积 的碳纳米管薄膜的场发射性能。通过在碳纳米管薄膜表面形成低功函数的Ti碳 化物，降低了碳纳米管发射体的表面功函数，增强了碳纳米管薄膜的场发射性能。 通过在基底表面镀覆Ti膜，退火后碳纳米管和基底之间形成导电性Ti碳化物， 增加了碳纳米管与基底之间的附着力，消除了碳纳米管与基底之间的界面势垒， 使碳纳米管场发射的开启电场和阈值电场明显降低。 系统研究了心微波等离子体处理对电泳沉积和涂敷制备的碳纳米管微结构 和场发射性能的影响。由于等离子体处理造成了利于场发射的各种微观几何结构 的形成，降低了电子发射的表面势垒，提高了碳纳米管的场增强因子，从而改善 了碳纳米管薄膜场发射的^y性能，而等离子体处理后碳纳米管薄膜场发射电流 稳定性和均匀性的提高则归因于等离子体处理后碳纳米管电子发射位的增加以 及发射位位置在场强方向上的一致化。 关键词：碳纳米管场发射平板显示器等离子体处理 电泳 ABSTRACT Carbon electronicandmechanicaland nanotubes CNTs havesuperior whichmakethemattractiveindifferent thermodynamic fields， properties application inthefieldoffiat di to emission date，field especially panels：play．However,up of asthenumberofelectronemission propertiesCNTs，such density sites，thestability of and fieldemissioncurrentandSO notsatisfiedforits uniformity on,are application ascoldcathodeelectronsource．Itiscrucialto thefieldemission improve properties ofCNTsfortheircommercial this seriesofstudieswere work,a applications．In roundthe and forthefabricationof proceeded improvement processes optimization the CNTscathodesfilmandthe ofthe CNTsfilmwith post--treatmentas—-prepared of thefieldemission someusefulconclusionswere purposeimproving properties，and obtained． Basedonthe oflow and new propertiesmeltingpoint hi曲conductivity,a forcarbon cathodewasstudiesinthefirst preparationprocess nanotubes CNTs cold time the oftrad