Ge-%2cx-Si-%2c1-x-%2fSi中应变的会聚束电子衍射探究.pdfVIP

第6卷第4期 功能材料与器件学报 V¨16．No4 FUN MA‘rEIliALSANDDEVICES OF c】IONAL 】)ec．2000 2000年12月 JOURNAL 文章编号：1007—4252(2000)04—0403—03 Ge。Si。一。／Si中应变的会聚束电子衍射研究 范缇文， 吴 巨，王自国 (中国科学院半导体研究所材料开放实验室， 北京100083) 摘要：介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定Ge；si，一／si化 学梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任 何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。 关键词：Ge，Si，一。；会聚束电子衍射；计算机模拟；应蛮 中国分类号j0722+．7文献标识码：A l弓1言 随着新型半导体材料的发展，特别是材料结构向低维化的发展，材料中的应变成为影响材 料生长模式和基本物理属性的重要因素，因此应变研究对于基础物理和新型光电器件的发展 都是至关重要的。而且材料的超薄化，低维化对于应变测试技术的高空间分辨率和高灵敏度 提出了更高要求。本工作将透射电子显微学的重要分支一会聚束电子衍射(CBED)与计算机模 拟相结台对si衬底上生长的Ge。si。梯度层中的应变进行了研究，提供了一种具有广适性的 高空间分辨率、高灵敏度的测试应变的技术途径。 2实验过程 用分子束外延技术首先在si(00】)衬底上生长5lxmsi缓冲层(buffer)，然后再生长2 的成份生长0．5txm的Ge。，Si。。的表面层，用常规的生长面对生长面对粘、研磨、抛光及氲离 子减薄技术制备成晶向为(110)的横截面透射电镜试样。置于JEM2000FX型透射电子显微 镜中采用了常规透射电镜(CTEM)的会聚束电子衍射(CBED)技术。实验时加速电压为 120KV，最小电子束班直径可达20nm。 整个实验工作包括两个重要组成部分： CBED花样，获取样品中的真实结构信息，然后分别对各个点的CBED进行计算机模拟，求出 各个点的晶格常数a，其精度达0．1％。 收稿日期：2000—07—24；修订日期：2000—08—28 作者简介：范缇文(1939一)，女，研究员． 功能材料与器件学报 6卷 3实验结果和讨论 图1为Ge，si。／si材料的透射电子显微镜弱束暗场像，可以发现密度高达10’／cm。以上 的穿透位错存在于Ge。si。梯度层内，在上表面Ge。，si。，层内位错密度明显下降。另外司以 看见一些位错从Ge。si。层向Si缓冲层延伸形成半圆形位错环球。CBED的分析从Si衬底 开始，从下向上取A、B、c、D、E、F和G，其中A点在远离界面的si衬底内，B点在Si缓冲层 中，C、D、E在梯度层中，F、G在上表面ce。，si。∞内。 A 1 Weakbeamdarkfldd of Fig imagegradedGe。SiI一。／Si 图1 Ge。Si。。／Si的弱束暗场像 首先在各点拍摄出CBED花样，然后进行计算机模拟，通过逐渐调整输人的晶格常数a， b，c值，使得模拟的花样最终与实验花样相同，则输入的a，b，c即为实际材料的品格参数一图 2为从材料中不同区域所测定的微区晶格常数。 l_蕞|‘癣喀嵫鼙 帅¨¨¨¨¨¨¨呻¨忡配n∞蚺相耵罅拈“伯啦