氮化硅双层减反射薄膜的减反射效果的研究.pdfVIP

氮化硅双层减反射薄膜的减反射效果研究∗ 龚灿锋 席珍强 杨德仁 （浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州 310027） 摘 要 本文采用普通热氧化、快速热氧化和氧等离子体氧化三种不同的氧化方法制备SiOx，然后用PECVD 生长SiNx 形成 双层减反射膜，并测试其减反射率，与单层SiNx 薄膜的减反射效果对比。结果表明：采用氧等离子体和快速热氧化得到SiOx ＋SiNx 双层膜减反射率在小于600nm 波段时低于单层的SiNx 薄膜，而在大于600nm 波段时高于单层SiNx 薄膜。 同时采用 常规热氧化得到的双层膜在低于800nm 波段减反射率较高，减反射效果不及单层的SiNx 减反射膜。 关键词 氮化硅 双层薄膜 减反射率 0 引言 太阳电池是把光能转换为电能的光电子器件。投射到太阳电池正面的太阳光，部分被该表面反射掉了， 部分透射到电池内部，被转换为电能。通常情况下，裸硅表面的反射率相当大，可将入射太阳光的30％以 上反射掉，为了最大限度地减小正面的反射损失，目前主要有两种方法：一是将电池表面腐蚀成绒面，增 加光与半导体表面作用的次数；二是镀上一层或多层光学性质匹配良好的减反射膜。在单晶硅和多晶硅太 [1-4] 阳电池中, 表面织构和制备减反射膜都是常用的减反射方法 。 氮化硅薄膜首先是应用在半导体器件和集成电路的制造工艺中的[5] ，由于有着良好的光学、化学性质和 [6] 钝化能力，特别是能同时起到减反射和钝化作用，从 年开始，它被引入多晶硅太阳电池的制造工艺中 ， 1981 随后得到了迅速的发展，广泛应用于硅太阳电池中。由于太阳光分布在一个较大的波长范围内, 因此, 对 太阳电池要求在一个较宽的光谱范围内有良好的减反射效果, 使更多入射光能进入电池。 而单层减反射膜 往往只能对一定波长范围的光起到较好的减反射作用。采用多层减反射膜能够在多个波长附近有好的减反 射效果, 这样就展宽了具有良好减反射效果的波长范围。也是本实验研究意义所在。 1 实验 本实验采用 × × μ 的单面抛光的P 型 硅片，采用常规热氧化、快速热氧化以及 2cm 2cm 400 m 100Cz 氧等离子体氧化三种不同的方法制备一层很薄的氧化硅后，在沈阳科仪中心PECVD400 型真空薄膜生长系 统中再生长一层氮化硅薄膜。具体制备过程如下：实验前用 1 号液(H O:H O :NH •H O=5:1:1)和 2 号液 2 2 2 3 2 (H O:H O :HCl=5:1:1)清洗，然后再使用 5 ％稀氢氟酸(HF)漂洗 5 分钟以去除氧化层，去离子水洗净烘干后 2 2 2 采用不同处理方法生长一层氧化硅，其中氧等离子体处理在PECVD 中进行，其参数见表1，快速热氧化的 ∗ 本项目受国家自然基金 和 ）的支持。 1 参数见表2。氧化层制备后测试FTIR。最后，用PECVD 设备沉积氮化硅薄膜，反应气源为：硅烷（10%，氮 气稀释）和高纯氨气。沉积薄膜的参数如下：气体流量为硅烷30sccm ，氨气60sccm，工作气压30Pa，射频 频率 13.56MHz，沉积时间为 10 分钟。样品生长完毕后进行了测试，使用薄膜测试仪测试薄膜的减反射率 曲线。 表 1：氧等离子体制备SiOx 的参数 表2 ：快速热氧化制备SiOx 的参数 Figure 1: The parameters of oxygen plasma SiOx Figure 2: The parameters of rapid thermal oxide SiOx 编 O2