YBCO超导薄膜的氟化的研究.pdfVIP

YBCO超导薄膜的氟化研究 李琴傅泽禄吉争鸣康琳冯一军杨森祖 南京丈学电子萃斗学与丁控系．南京210093 [摘要] 本文采用CF。气体．对YBCO超导薄膜在真空室晕进行射频等离子体氟化．XPS的结果表明氟化改 变了YBCO薄膜的表面价态，并通过不同的磊件下YBCO的氟化得到了氯化深度与氟化条件的关系，对 氟化后薄膜输运性质进行了研究，结果表明充分的氟化可以使YBCO超导电性完全消失，且此弱化过 程不可逆。本文的研究为等离子体氟化YBCO薄膜彤成弱连接结提供，实验依据． 一、引言 自高温超导体(fiTS)材料出现以来．为了制各高性能的超导器件，人们采用离子 注入、加热脱氧以及粒子束轰击等方法对HTS薄膜表面进行了局域修正或改性。近期． 有人采用原位Ar或Ar／0：等离子体对露出的HTS薄膜侧面进行修正处理，从而形成“界 面处理结”(Interface—EngineeredJuneti。ns)11]o由于fiTS薄膜表面对于环境气氛 是十分敏感的．因此，在一定的条件r对表面的电子价态和结构进行修正而形成弱化势 垒层的方法较易于实现。迄今为止，在fiTS薄膜后处理的研究中，所选用的气氛大多为 Ar、N：、0。，它们在真空系统中经加热或等离子体作用来实现。但对于YBc0薄膜在CR 气体等离子体作用下的影响还少有报导。 本文采用Cn气体等离子体(plasma)辉光放电的方法对fiTS薄膜表面进行处理以 造成超导电性的弱化。与脱氧弱化相比，在稳定性和便于局域控制方面有一定长处。 二、实验 我们利用脉冲激光淀积妇。)的方法在YSZ衬底或LaAIO。衬底上相同工艺下制各了多 个YBCO超导薄膜样品。其中靶与基片的距离为4cm，淀积温度为890℃．气压为氧压 26Pa，淀积速率为100Almin，淀积适当时间后在温度为450℃下，1Atm的氧气中原 位退火10～30分钟。在制备好YBCO超导薄膜后，马上将部分新鲜的YBCO膜样品进行XPS 分析；与此同时，另一部分YBCO膜样品放到射频溅射系统的真空室内进行射频等离子 体氟化。氟化时样品放在可加热的接地扳上．Ii作气压(C^)约lOPa，阳极电压(Ua) 400V一1200V，R1极电流(Ia)0．06A一0．1lA．所用的射频信号频率为13．56～(Hz。氟化后 所得的样品，立即进行XPS分折，以佧比较。 三、结果与讨论 (1)XPS分析 24 结合能谱进行了XPS分析，所得结果与D．FFowler等【4】的结果相符。 s)与Y(3d)。 对经过等离子体氟化的YBCO膜，XPS分析发现．影响最大的是O(1 s)的本征峰，能量较高 束氟化膜的O(1s)XPS结果示出，在528．0ev处的峰为O(1 的另一峰被认为是污染峰，它一部分来自表面的污染，另一部分来自膜中颗粒边界或杂 相的贡献i”。轻度氟化后，O(1s)的本征峰相对减小．污染峰则增大。深度氟化后， 本征峰消失，只剩F污染峰。对于未氟化膜的Y(3d)．低结合能的峰在156．1ev附近． 高结合能的峰约在158．gV[5_6】。轻度氟化后，低结合能处的峰强度减小，高结合能的峰 增大，并在160ev处出现了另一个峰．此峰可能是Y巳的贡献。为了证实它，观测了轻 s)的贡献‘”。 s)谱。其中在685ev附近的峰，应是YF3对F(1 度和深度氟化后的F(1 田此证实了在氟化过程中有YR生成。深度氯化后的谱除了685ev处的蜂外，在687ev 处出现的峰则是C。F的结合能，可能是吸附在表面的C．F的贡献。 XPS分析表明，等离子体氟化对YBCO膜的作用主要是引起了YBCO薄膜表面的 化学价态的变化。详细的报道见【8】。 (2)AES深度轮廓分析 YBCO膜在等离子体氟化过程中，超导电性的变化只是YBCO膜表面层t这个表 面层这里称为氟化深度。通过AES深度轮廓分析，可以获得氟化深度的信息。对于一 定[艺条件下氟化处理的YBCO膜样品，先用也台阶分析仪测出总