Ce%3aFe%3aLiNbO-%2c3-晶体光栅热固定地研究.pdfVIP

刘 波 等：Ce:Fe:LiNbO3 晶体光栅热固定的研究 209 Ce:Fe:LiNbO3 晶体光栅热固定的研究* ∗ 1 1 2 2 刘 波 ，毕建聪 ，郑 威 ，徐玉恒 （1. 哈尔滨理工大学 化学与环境工程学院，黑龙江 哈尔滨 150040 ； 2. 哈尔滨工业大学 应用化学系，黑龙江 哈尔滨 150001 ） 摘 要：在LiNbO 晶体中掺进 CeO 和Fe O ，以 3 2 2 3 Czchralski 法生长Ce:Fe:LiNbO3 晶体，对晶体进行氧 化还原处理。测试 Ce:Fe:LiNbO3 晶体的吸收光谱， 发现Ce:Fe:LiNbO3 晶体的吸收边相对LiNbO3 晶体发 生红移。氧化态的 Ce:Fe:LiNbO3 晶体的吸收边相对 还原态的 Ce:Fe:LiNbO3 晶体发生紫移。采用热固定 法测试 Ce:Fe:LiNbO3 晶体（氧化，生长，还原）的 显影效率。Ce:Fe:LiNbO3 晶体 （还原）的显影效率低 于 Ce:Fe:LiNbO3 晶体（氧化）的显影效率。测算并 推导出热固定光栅在常温下的寿命。 关键词：Ce:Fe:LiNbO3 晶体；热固定；吸收光谱 图1 热固定的实现过程 中图分类号：O731 文献标识码：A Fig 1 Course to realize thermal fixing 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-0209-03 2 Ce:Fe:LiNbO3 晶体的生长 1 引 言 在 LiNbO 晶体中掺进 CeO (0.1%)( 质量分数) 和 全息存储器件中的信息在应用中或长时间搁置 3 2 Fe O (0.02%)(质量分数)，以Czchralski 法生长Ce:Fe:LiNbO 时的擦除仍是全息存储的关键问题之一，而热固定方 2 3 3 晶体。晶体生长的轴向温度梯度为40℃/cm，晶体生长速 法已成为全息存储中数据固定比较成功的方法。热固 + 度为 2mm/h ，晶体旋转速度为 15～25r/min 。晶体极 定是利用在高温下晶体中电子的暗电导率和离子(H ) 2 化电流密度为 5mA/cm 。极化温度为 1180 ℃。晶体 的电导率有较大的差别实现的。在高温下离子电导率 切割成 10mm×10mm×3 （x,z,y ）mm 的晶片，将晶片 是主导的，离子通过复制光激发电子的空间分布迅速 埋在Li2CO3 粉中进行还原处理，还原温度为550℃， 补偿了原来形成的空间电荷场。降到低温后，离子的 还原时间为24h[2] 。晶片埋在Nb