反应溅射制备AIN纳米薄膜中沉积速率地研究.pdfVIP

反应溅射制备AIN纳米薄膜中沉积速率的研究+ 武海顺许小红张聪杰张富强 E-mail：wuhs@dns．sxtu．edu．en) 摘要通过对溅射过程中辉光放电现象及薄膜沉积速率的研究，发现随着氮浓 度的增大，靶面上形成一层不稳定的^lH层，由于^IN的溅射速率远小于^1，从 而使薄膜的沉积速率显著下降．同时还研究了其它溅射参数对薄膜沉积速率的影 响，结果表明：随靶基距的增大和靶功率的战一1，不同程度引起沉积速率的下降； 随着溅射气压的增大，最初沉积速率不断增大，当溅射气压增大到一定程度时， 沉积速率达到最大值，之后随溅射气压的增大，又不断减小． 、 关键词 反应溅射，氮化铝薄膜，沉积速率 ＼ 确 六方纤锌矿结构AIN薄膜其有高的机电偶台系数、高的声传播速度、高的电阻率，在表 为压电薄膜必须是单晶薄膜或者是择优取向的多晶薄膜．所以在制造过程中，必须使沉积原子 达到有序化I“。由此看出在制造这种薄膜时，沉积速率不能过高。但通常沉积速率高，不但 可以节省制膜时间，而且还可得出晶粒更为细小的薄膜，所以在允许条件下．尽可能选婀高速 制膜．可见沉积速率直接影响到压电薄膜的质量．对其的研究和控制是非常重要的。 由于反应溅射可以采用高纯金属Al靶材和高纯N2反应气体制备高纯AIN化台物薄膜， 避免了制备高纯A]N化合物靶的繁难，因而得到J“泛的应川。反应溅射的成膜过栏与众多的 实验参数有关，反应溅射过程中的一些物理现象，由于研究者的实验条什不同，结果也有较人 差异．反应溅射中，各种实验参数对沉积速率均有影响．其中溅射电压、沉积速率与氮浓度之 间的关系曲线就是一个至今还没有了解清楚、但又严重影响反应溅射靠明婆的重要物理现象【j’J。 文献【4】认为氮浓度增大引起沉积速率降低的主要原冈为N2的溅射产额小于AL而本研究首次 提出沉积速率降低主要源于N2增加过程中所引起的靶面反应。另外．我们还对溅射气压、靶 功率以及靶基距等实验参数对薄膜沉积速率的影响进行了研究。 I实验方法 本研究所采用570型磁控反应溅射系统由我们山西师范大学材料化学所与沈阳高真空技 术与应用研究所联合研制。磁控靶为圆形，直径为60ram，实验中选用的AI靶材纯度为 压强由DL．5程控真空计测得。溅射过程基片属于自然升温状态，不另加热，选硐的基片为抛 sxtu，educn 报告人l武海麒，电话0357-2052468．E-mail：wuhs@dns A107 光Si(1l 1)片．570型磁控溅射仪有一个旋转的基片架可以在8个不同位置上放置基片，因 此在不打开真空室的情况下，一次可连续在8种工艺参数条件下制备8个样品。另外，本磁控 溅射仪的靶与基片之间的可调范围大(3-15era)，为研究靶基距对薄膜沉积速率的影响提供了 条件。在沉积之前，Al靶村须在Ar气氛下进行预溅射以除去其表面的污染物和氧化层。 薄膜的厚度是采用美国Veeco 量，再又膜厚与沉积时间的比计算出沉积速率。 2结果与分析 2．1溅射电压、沉积速率与氯浓度之间的关系曲线 图l给出了溅射电压、沉积速率与氮浓度的关系曲线。由图l可知氮浓度对沉积速率的影 时辉光放电颜色为紫红色，所沉积的薄膜起初为金属膜，溅射速率为17rim／rain。随氮浓度的 逐渐增大，薄膜经由黑色变为浅灰色富Al的AIN膜。当氮浓度由B点继续增大至C点时． 电压稍有上升，此时辉光放电为粉红色，所沉积薄膜为透明状，属AIN薄膜。当氮浓度由C 点升至D点时t电压不发生变化。成膜速率约为5nmlmin左右，辉光放电的颜色为橘红色。 从D点开始逐渐减小氮浓度．由D至A点．电压增值较为均匀。 河措搿鼍jj旨彗 图1溅射电雎和沉积速率与氮浓度的关系曲线 between the concentrationand rates