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MWECR
CVD制备氢化非晶硅薄膜的
微结构研究①
刘 毅 宋雪梅 阴生毅吴越颖胡跃辉邓金祥 陈光华
北京工业大学材料学院，教育部国家重点功能材料实验室，北京，100022
中氢含量和光学带隙等微结构最有效的手段。样品用微波电子回旋共振化学气相沉积
(MWECR
CVD)方法制备，通过合理的基线把FTIR透过率谱转换成吸收谱，得到薄膜的氢
含量度组态信息，并分析其与村低温度、氯稀释比以及光学带隙的对应关系。
关键词：氢化非晶硅Mw骂R
c即氢舍量光学带隙
Abstract：TheFouriertransform and
infrared(FTIR)spectrum
areeffective for the of
spectroscopy technology microstructure
studying Hydrogenated
amorphous the eontent(CH)and
silicon(a—Si：H)，includinghydrogen optical
gap(EⅧ)．The
film
was MWECR and
deposited CVD．CH
by silicon-hydrogen
bonding
configuration(Si—
obtained
H。)havebeen theFTIR thattreated
byanalyzing spectra baseline
by fitting，The
effectsofdifferentsubstrate on and
tempreture，H2／Sill‘andEmCH Si--H。．
MWECRCVD content
Keywords：a—Si：H hydrogen optical
gap
等性质有着极大的影响，它可以钝化非晶硅薄膜中
1引言 大量存在的悬键，降低薄膜的缺陷密度，减少带隙中
的非辐射复合中心，从而显著提高薄膜稳定性o]。
氢化非晶硅薄膜(a-Si：H)以其优越的特性在薄因此对a-Si：H薄膜中对氢的分析是薄膜研究中的
膜太阳能电池、薄膜晶体管和大面积平面显示等技 一个重要闻题。
术领域中起着习益重要的作用，是一种在信息科学 本文分析了多种条
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