磁控溅射Fe-N薄膜的微结构的研究.pdfVIP

电子显微学报JChinFktrMilT0州‰ 21(5)645～6462002年 645 磁控溅射Fe—N薄膜的微结构研究修歹眵 詹倩，贺连龙，李斗星 侈 (中国科学院金属研究所沈阳材料科学国豪(联合)实验室，辽宁沈阳110016) 采用薄膜技术制备的磁头具有较高的灵敏度， 1的晶粒簇尺寸为12nm(图1a)，膜2的团簇大约 同时还町有效地缩小磁头尺寸，提高磁记录密度。 20nm左右(图lc)。显然，随着沉积时间的增长或 良好的磁头材料要有较高的饱和磁化强度和较低的 薄膜厚度的增加，晶粒簇尺寸增加。相应衍射谱多 矫顽力。Fe—N薄膜具有较好的磁学性能及比纯Fe晶环中分布十分均匀的衍射斑点表明薄膜中并没有 高的耐腐蚀性和耐磨损性，因而近年来得到了广泛 织构的形成。通过标定衍射环，特别是n”Fe…N相 的研究。但研究者们大都致力于Fe—N薄膜的制备 及性能的研究”“，对其微观结构的研究则较少。本 的形成，且n—Fe和Fe：O，也同时形成。a”Fe…N的 文利用透射电镜研究了Fe．N薄膜的微观结构，为进 晶体结构为体心四方，因其极大的饱和磁化强度，而 一步优化性能提供依据。 具有重要的潜在应用价值”1。所以合理控制N含 采用反应射频磁控溅射沉积技术合成Fe．N薄 量以形成a”一Fe…N，是保证薄膜性能指标的一个重 膜。Fe靶纯度为9999％。(100)单晶si片作为衬 要因素。图2a为a”-Fe，。N：晶粒簇内一小角晶界的 底，表面有一氧化层存在。沉积腔内通人高纯Ar气 高分辨像，入射电子束方向平行于[021]，图中虚线 267 和氮气(999995％)的混合物，总气压保持在0 代表晶界。两个晶粒之间的取向差大约6。左右，如 Pa，其中氮气分压为5％。膜l和2的沉积时间分别 图中两个晶粒的(200)面所示。另外，薄膜溅射过 为10rain和60min。制备适于电镜观察的横截面 程中的残余应力导致一些晶面发生了弯曲。图2b 2010 (cross．section)和平商(plan．view)样品，并用JEM 为a”一Fe…N的系列模拟高分辨相，实验结果与之相 高分辨电镜对样品进行微结构表征。采用EMS程 一致。薄膜厚度和晶粒尺寸会引起Fe-N薄膜磁性 序进行高分辨像模拟。 能的显著差别，如晶粒尺寸越小，则矫顽力越小。因 Fe—N薄膜横截面形貌像观察表明，薄膜厚度较 而较好地控制沉积时间和N含量是优化薄膜性能 均匀，膜厚随沉积时间的增长而显著增厚，一非晶层 的有效途径。 存在于薄膜和衬底之间，也就是si处理过程中形成 的氧化层。平面样品的低倍暗场形貌像及相应的选 参考文献 区电子衍射谱示于图1，可清楚地观察到晶粒团簇 1]TakahashiH，Takahashi T，Kinoshita M，Shoji H，Wak