热退火中横向扩散对InAs%2fGaAs量子点发光特性地研究.pdfVIP

第八届全国薄膜学术会议 47 C一01 热退火中横向扩散对InAs／GaAs量子点 发光特性的研究 张金福 刘会云 许 波 刘峰奇 梁基本 王占国 (中国科学院半导体研究所材料开发实验室，北京 100083) 摘要：系统地研究了快速热遇火对带有3个纳米IkG毗。As(x=0,0．1，o．2)盖层的3纳术主高的InAs／ c12，量子点发光峰位的蓝移趋势是相似 GaAB量子点发光特性的影响。随着退火温度从650℃上升到850 构。但是。量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGa／协盖层的组分。我们的实验 结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用。另外．我们在较高的退火温度 观测到ldGaAs的发光峰。 关键词：Irl彬GAs量子点；IdGaAs盖层；快速热退火；横向扩散 近年来，快速热退火被看一种重要的方法来调整自组织量子点的光学性质，以用来制备半导体激 光器或探测器【“…，快速热退火量子点结构和发光的影响已经被广泛的研究。实验结果表明退火导 致量子点的发光峰半宽变窄【““，峰位红移￡5-S]，和子带能隙变小【I“J。虽然这些实验现象可以被简 单的解释为k．G4在InAs量子点与GAAs能垒界面的扩散，可是人们位对量子点退火机理的理解是有 限的。特别是关于横向扩散对量子点光学特性的影响至今还没有报道。 我们在本文中提出了一种量子点结构来研究横向扩散 的作用。我们制备3纳米高的量子点，并盖了3纳米厚的 Ⅶ 、 111。GahAs(#=0，0．1，0．2)盖层。原子力显微镜测试表明 样品表面变的比较平整，如图l所示“…。由于lnGaAs的厚 ‰ ^ 度等于Ir山量子点的高度，横向扩散在退火的过程中将受 到抑制。然而lnGaAs盖层对垂直方向扩散的影响是微小 的。我们的实验结果表明横向扩散对量子点峰宽的影响是 十分明显的，而对峰位移动的影响比较微小。 图1样品结构示意图 of SclrBmafic the lnAs 本文所用的样品是在固源分子柬外延(彤her32P)中制 Fig．1 picture3-tma-height revered In— QDsample by3-nn山ick 备的，生长在GaAs(100)衬底上。样品结构是500nmGaAs GaAs hver 缓冲层，2．0单原子层的hAs量子点层，3纳米的In：Gal．； overgrowth Si02。快速退火的温度从650℃到850℃。然后将样品浸泡在HF酸中除去si02，进行光学测量。 现象在以前的InAs／GaAs量子点退火的研究中已被观测到。在图2中观测到的有意思的现象是一个 低能峰出现在750℃退火的发光谱。另外，进一步提高退火温度导致该峰的峰位红移。由丁lnAs／ GaAs量子点的浸润层发光峰位在1．45eV(…，这低能峰不能归属于浸润层发光。我们认为这发光峰应 的发光峰不能被观测到。快速退火将引起量f点的发光峰位较强的蓝移。可是，快速退火对量子阱 发光特性影响是微弱的，只有在退火度时，发光峰位的蓝移才能被观测到【2,8]。所以，在退火温噎为 耜 ． 叁!：星全里苎竺兰查叁些—— =l=E口===#{{==#===目=====；zi=