MOCVD生长InGaN薄膜和其离子束背散射沟道研究.pdfVIP

哟C1lrD生长InGaN薄膜及其离子束背散射沟道研究+ 李述体彭学新王立熊传兵李鹏辛勇姚冬敏莫春兰江风益 (南‘太学村辩科学研究所．■■3∞0‘7) RB“cb叫聃liⅡg)挂术和光系 ■l果用-咖摹筑咀^b％为对雇在G|N雎上生长丁In-。hJ薄一．I；【卢鼍格臂基肿／淘堪c 麓光(PL)技术封In玉^11N样品进行了嗣试．研究衰啊在一定范■．■怔州In，T雎-比，InG蜊嚷的生长遗事■大，音垒的In 组舟反而量嵩．降低生长jI度，合盘的In组分量商。但InG酬囊豹生长毫率蕞小．In厦于韵瞢位事在所涓试舶h组分花薯 (oO●_0．笛)均在9抖以上．衰嘲In曩予鼻处于警位位置．I“Ga}i蠢■的螬■品质翔In组升的增大丽墨著_F■．秤舅帕■度 hGlII的孔自晦里较多园量，■．报赡矗确一定In 为霭h的h^o风一尊t的朗s淘迸量低产叠为4．墙．研宄培皋匝表明I 坦丹．酉{=|瞄拽木鲁舅的培暴量可‘的． 1、引言 三元化台物埘0aN材料，随IrI摩尔组分的变化，其禁带宽度可在1．950v到3．4ev范 围内调节，适台作为GaN基发光二极管(LED)和激光器(LD)的有源区。近年，已制 备出hGaN量子阱结构高亮度蓝光、绿光和黄光LED【‘】和紫光■蓝光激光器捌。尽管近年 度确定较为困难。从原理上来说，其x值可用x射线双晶衍射技术得到，但由于GaN与 hlN之间的晶格先配高达11％，在砜Gal。N层中会有大的应力，考虑到应力作用，用x 射线双晶衍射技术不能准确测定x值。InGaN的hI组分还可用光致发光(PL谱)技术得 到，但PL谱有时受到杂质、缺陷、束缚激子等因素的影响，扭曲系数b也有多个不同的值， 且由于存在大的弹性应力，会导致禁带宽度的改变，由PL谱得到的x值也值得怀疑．由 于InG酬和G酬层间没有明显界限，用扫描电子显微镜等方法也只能观察其形貌，难以精 确测定各层厚度。而R盼／clIan∞li培技术是一种十分有效且挟捷无掼地研究异质外延薄膜 的手段。迄今为止，有关InGaN的研究文章中较少应用这一手段口】。我们以戕、rD技术生 In$al，N样品进行了分析，研究了TMIn，rBGa比和生长温度对InGaN薄膜生长的影响。 2、实验 采用本所研制的立式M0cvD系统在6州单晶膜上生长了111G州薄膜。衬底是蓝宝石 后升温到1060℃恒温6分钟．使缓冲层萋新结晶，之后在1060℃生长厚度约l～2u_的GaN 单晶膜。待G制单晶膜生长完毕后，再降至所需温度生长InG鲋薄膜。InG刮／6鲥／A1203样 品的RBS／chmneling图谱是在中国科学院上海冶金研究所离子束技术开放实验室测试的， 入射He离子的能量为为2．oMeV，柬流垂直于靶面入射，束斑约为Lo×1．OⅡ．探铡背散 射角为166D．样品PL谱的激发光源是H“d激光器325llm线，功率为15d． 3、结果与讨论 圈l、2分别是样品B和样品D的背散射／淘道的实验谱和模拟谱。InG洲薄膜的组分 ·田枣舯3新材料壤域、田寡自幅科学暮金，Ⅱ西省科委、纪委和匝西省^寸墓垒奄助． ·‘3· 度可通过有关公式计算得到．也可用RU抒更为精确地得判．模拟得到的样品B和D的 1分分■为0．∞、0．拍；厚度分别为∞5n、1髓糟．若G州层不太厚，还可模拟出GBN 覆．得判样晶D的G甜屡厚度为820∞．采用R酷／ch龃№lling技术还可得到hI元素 菠豹分布，从圈l，2中可看出尽譬样品B、D的h蛆分相差很大，但在这两样品中ln 憾度瞳滠度变化都不大．表明b熏子在旧曩N膜中分布较均匀。 舯‘ ≈瑚 戚 一 L 墓，嘲 O∞ ● ～h～测2U √．：．t蠲飞懿 ‘讪 硼 枷 枷 面 、∞ 枷她． 枷—函 ’ 鼍t噩曩