高能Ar%2b离子辐照P型CdZnTe的电学特性与光致发光研究.pdfVIP

高能Ar+离子辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光研究 裴慧元李向阳龚海梅方家熊 (中国科学院传感技术国家重点实验室、上海技术物理研究所上海200083) 侯明东 (中国科学院近代物理研究所兰州730000) 样品进行了电学测试和光致发光研究．实验结果和分析表明，Ar+离子辐照在c电蛞zn。—b中产生了更大密度的受主 型缺陷和散射中心．引起材料载流子(空穴)浓度的增大和迁移率的降低。随着辐熙剂量的增大，载筑子迁移率的 降低要比载流子浓度增大得快，导致材料电阻随辐照剂量增大而增大． 关键词；cdznTe，电学特性．光致发光 IgledrJml舯p叫嚣ud坤帕●删h．§撇or呻d扫Ⅱh1_跚一坤岣¨删可Ar+Iom FANO PBIHui-ymm Jm-xmng LIXJang-y叻gand (State脚Laboratories HoUMjng-dmlg k^如q日舢) (／．,mdmel．．ttt／tak矿Mm／ernPhy，ks,Ch／ne．,seAcademy珂鼬m Ito and nu翱懈10。O-101’c巾4啪usedinr丑diatc M酆呻龇帅Hofelechal ^b蛐_d：A，lau砌舶咖科2Gcv^I．d moh№．Te properties photolunu㈣w目tar再。do毗ollthe锄p●苗nnn／nndiated削da中∞酣to d∞masmg训甘 overall删l口 c引1玎co眦目rH鲥蛳increases．which c虮请motdl畸decleas鹊胁泔man mobiltry,弼pe嘶坩斗w_曲Ⅱtinen酆ingionflume,the 岫协口酬吨啪吲耻resisla皿ce KcyWorth：CdZaTe,clectricalpm邮i∞．pho哪umm∞c∞％ l引言 Cd】Zn，Te材料的辐照效应研究已越来越受到人们的注意。一方面它是公认的外延红外探测器 用HgCdTe薄膜最重要的衬底材料11j。当探测器在外部空间工作时．包括位于入射面上的Cdl。Zn。Te 衬底在内的探测器各部分都会受到各种辐射的作用。另一方面．高阻cdl_。ZnGe材料也是制各室温 核辐射探测器的重要材料12]。在探测宇宙射线和应用于加速器粒子探测过程中，各种辐射不可避免 地会对探浏器和材料本身性能产生备种影响。 目前，文献中可见到的有T射线、中子、质子辐照Cdl．，ZnxTe材料和核辐射探测器的一些研究结 果【”I。采用的研究方法有电压一电流(1-V)测试、光致电流瞬态谱(PICTS)等。但是重离子辐照 cdI．ZmTe材料或器件的有关研究在文献中却未见到。本文将结合辐照前后cdl．xZnxTe材料的电学 特性和光致发光实验研究高能A，离子辐照Cd0．舡nouTe材料的有关效应。 2样品及实验方法 实验所用CdZnTe晶体采用垂直布里奇曼法生长，原料为6N的Te、cd和Zn，组分为 Cch 96zIl0“R。晶体锭条按(111)面切割成为约lmm厚的晶片。将一块较大的样品切割成数片尺寸 为-6x6mm2的小片。从中选择四片样品．经适当的表面处理后制备欧姆接触电极。另外再选择四小 片样品，预备辐照后进行光致发光实验。Hall测量表明所选样品为P型。