多级降压收集极再聚焦区地研究.pdfVIP

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  • 2017-08-16 发布于安徽
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多级降压收集极再聚焦区的研究 寇建勇邬显平孙瑜 北京真空电子技术研究所北京100016jykou@sina.COIn 摘要本文就多级降压收集极再聚焦区的问题,对前人文献提出了异议。进行了简单的理论分析,并进行了仿真验 证.初步澄清了多级降压收集极的再聚焦区和磁场的问题。 关键词多级降压收集极,再聚焦,效率,模拟仿真 1.引言 多级降压收集极(MultistageDepressed 经过高频作用后的电子按速度进行分类收集。 ●十tE:^■I^■E!■■■E ’ t脯E 图1行波管结构示意图 图2再聚焦区磁场与电子轨迹图 人们通常在收集极人口前安排一个再聚焦系统,其中设置一定分布的磁场,借以减小电子的横向速度分 量和空间电荷力,改普电子注的层流性,为多级降压收集极有效地分类收集电子,取得好的收集效率准备前 提。图1和图2形象地表述了再聚焦系统的工作过程和作用口J。但是,我们在模拟仿真中,并未发现加上再 聚焦区的MDc比未加再聚焦区的MDc的效率有所提高,我们反而发现效率有所下降。查阅所有有关再聚 焦区的文献,我们并没有发现这方面的具体实测比较数据,也没有这方面的具体仿真比较数据。某些文献只 是使用了“可能”、“也许”等字眼。甚至同为IEEE杂志的文章(不同作者)关于“再聚焦区”的观点也互相矛 盾。 我们想借用此文抛砖引玉,引起有识之士对这个问题的研究,达到“拨云见日”、“去伪存真”的目的。 2.对前人文献的异议 文献[3】[4]指出,磁场再聚焦作用区位于管子输出端与收集极之间,它有下面两方面的作用:1.减小空间 电荷力;2降低离开电子注轴线的横向速度分量。我们对此不持异议。但是能否提高效率,怎样的再聚焦区 可以使MDC的性能发挥最佳,我们将进行探讨。 文献[3】【引中所使用的仿真软件都是二维仿真软件。忽略了颇为重要的%,%虽然绝对数值不大,但在 研究再聚焦区性能时却非常重要,因为某些电子轨迹是随着v,的缩小,%逐渐变大。 图3、图4是文献13J的计算仿真结果。其图上座标含义为: —L 1 。 12l 轨迹所携带的电流,J。是流经某横截面的电子注总电流。 因为是二维仿真软件,所以口表达式中未考虑的影响。在未考虑的影响的情况下,得出经过再聚焦区后 U转化为K的结论,未免显得草率。 图5、图6是文献【4 J的仿真结果,自上至下其曲线坐标分别为电子注半径、a、、轴上B,的分布,图 5、图6同样存在图3、图4的问题。 102 文献‘21提出,再聚焦区的作用是使“作用完了”的电子注半径变细,得以通过收集极人口。实际情况是 在高频互作用区的底部仍然有剩余磁场,往往在刚离开高频互作用区时电子注的半径最小。 ‘一 舛 !惫:象 野!l .*-—^ ; . j…~j—a^ 图3 图4 毫-Ie■●量 .i。I置j,_兽

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