电化学沉积生长GaAs薄膜地研究.pdfVIP

电化学沉积生长GaA S薄膜的研究 施兆顺 (云南师范大学太阳能研究所，昆明650092) 铽孙本研究从相关的科学理论分析入手，通过实验经验总结，对采用电化学方法在阴极衬底上沉积生 长6a3．s薄膜的必要条件、影响薄膜中元素成分的化学计量比的因素、程度及控制调节手段等进行了 摸索和探讨，从而确定了最佳工艺条件．制备出比较理想的化学计量比的6aAs薄膜，为今后薄膜性 能改善和实际应用打下了基础．对今后制备其它化合物半导体薄膜的电化学方法提供了有益的借鉴。 一、 st) 以满足其沉积必要条件的电化学基本规律一一能斯特(Iter 方程变换式： rn1 (伊：。一9岂)+(，7加一，7(’口)=0．0197219￥丢已竽巳 【％J』， 来确定最佳工艺条件。 1．合理准确地判定被还原物质的氧化态和还原态，从而选择合适的 标准电极电位矿．使b：一以I的数值局限在一定数值，否则理论上站不住 脚，实际操作无法实现，例如沉积CrstAs时，l妒卫一砘I应小于o．2V。 2．由于电极极化普遍存在，过电位n对析山电极电位的影响较大，为消除I n．。一n。I对电 n。。一q。．1趋近于零的目的，采取加入去极化剂-较 化学平衡的影响，为使rl^_、q。。趋于零达到l 低电流密度的手段．这样就可使电流密度成为调节薄膜成分的因素之一。 3．实验结果表明，在舍镶离子与含砷离子共沉积时，皆有H+参加阴极电极反应．这是H+的浓 度对电极电位改变的主要方式。也就是对薄膜成分影响的主要因素之一，当升高PH值时，一般升高 薄膜成分的手段。 4．离子浓度比对薄膜成分的影响 因为是使用稀溶液．两种离子的活度系数都趋近于1并且比较接近，为了操作和表达方便，一律 用浓度代替活度。当[ox]。／[Ox]。=10时，对电极电位的影响·一般是改变数十毫伏t因此离子浓度 比的调节可以改变薄膜成分。 二、 电极材料的选择 }f}{●t{}；{ 除了电化学体系的要求外．尚需从经济实用、产生屯极极化程度较低、对GaAs粘附力强的需要 方面选择电极材料，由于两个固体表面的表面应力不同，除了分子间作用力之外．若有化学键力则粘 附力大大增加．从薄膜科学理论分析及实验验证得知Sn0。导电玻璃是比较理想的阴极衬底材料。 168 一 一 一 ㈡矧一 三、 结果及讨论 以自制的导电玻璃作阴极．石墨片作阳极，在自己配制的简单盐溶液中，含镓离子与含砷离子的 20～30分钟，重复及平行实验制得薄膜GalⅢAsl㈣-Ga¨BoAslM，Ga【0JBASl．oDo等及A1¨7BG80135舡㈣o， 2200PC自动x射线仪检测 化学成分测定用日本岛津EPIJA一8750电子探针显微分析仪完成。经D／max 属多晶体，电镜检卉薄膜厚度约5微米．晶粒最大直径可达2微米，一般为0．4微米，薄膜厚度2～ 5微米，导电类型为11型．薄膜R．电阻与SnO。导电膜及砷化镓单晶片相近。 虽然成功地{|i悴}化学计量比趋近于l的GaAs多晶薄膜，但在质量改善、晶粒长大、掺杂物改变 禁带宽度