掺氮非晶金刚石薄膜场致电子发射能量分布地研究.pdfVIP

掺氮非晶金刚石薄膜场致电子发射能量分布的研究。 黄南荫陈军’刘小伟邓少芝许宁生。 中山大学理工学院显示材料与技术广东省重点实验室广州市510275 摘要 本文研究了掺氮非晶金刚石薄膜场致电子发射的能量分布。发现能量分布呈多峰 分布且峰值位置随场强增大而左移。我们对这些峰的位置和半高宽进行了拟合，并结合准隧 穿模型和杂质能带发射模型解释了结果。 关键词掺氮非晶金刚石薄膜。场致电子发射，能量分布 一引言 近年来，非晶金刚毛i薄膜的场致电子发射特性的研究引起了众多学者的兴趣IL2，”。掺杂 对这类薄膜的场致电子发射特性的影响及机理，是一个普遍关心的问题。本研究将对掺氮非 晶金刚石薄膜场致电子发射能量分布(FEED)的进行研究。对测量到的FEED中多峰分布进 行拟合，并结合现有的理论机制解释实验结果。所得的结果将有助于进一步理解此类薄膜的 场致电子发射机理。 二实验 掺氮非晶金刚石薄膜是采用磁过滤直流溅射碳离子沉积系统制备的。薄膜沉积于表面直 径为15m的铝村底上。为了掺氮，溅射气体采用了氮气。典型制备条件为：溅射电压为1．6 千伏，偏压为负i00伏，气压为7帕。薄膜样品厚度约为700埃。薄膜曾经利用红外光谱(IR)， X射线光电子能量分布(XPS)，UV-可见光吸收谱分析作过详细的研究14】。测量得到薄膜的含 氮量约为30％，带隙约为4eV。 场致电子发射的测量在气压为10一7Pa的真空室中进行。关于掺氮非晶金刚石薄膜场致电 子发射特性I．v特性和发射址分布研究的结果已经另文发表【|】。本研究中，我们利用场致发射 显微镜(FEM)和减速型能量分析器记录了薄膜场致发射电子能量分布。样品固定在一个五 维样品操纵台上，置于场致发射显微器(FEM)的电子透镜前O．1mm处。发射址的图象投射 到荧光屏上，并可用CCD摄像机记录。同时，电子通过荧光屏中央的一个直径lmm的小孔 进入能量分布分析仪。这样，可以就在不同外场下，i己录电子发射图样及电子发射能量分布。 此外，测了一组钨针尖的场致电子发射能量分布，用于校准仪器宽化系数△E。 三结果与分析 图1可以看出能量分布呈多峰分布。主峰的位置(E0，)随着场强F的增加而左移，半高宽(EFⅢ) 随着场强F的增加而增大。而在主峰的左侧，有小峰存在。该结果可由准隧穿发射模型例和 杂质能带发射模型解释。图2是发射过程的示意图。主峰是由电子从金属衬底费米能级隧穿 注入非晶金刚石导带，受外场的作用输运到薄膜表面，并从其导带底(CBM)隧穿到真空而 形成的。在这个过程中，电子能量的变化与外场有关．与薄膜中的电压降(Fd)成正比： ’国家自=|I!；科学基金资助项目 4通讯作者t exlu∞，啦xns@zsu，odu．c“ E-mail’stdpl3@zsu Eoj--Efgd=--eFd (1) 增加而左移。而侧峰是由电子直接从掺氮非晶金刚石薄膜的杂质能带发射到真空引起的，即 通常所说的自电离效应【6】。 ^ 一。 ：O徽．SMVtm处 E， p警Z …… -¨-10-9-8-7-6 -5 4-3．2 Energy(帅 圈l不同电场强度下的场致电子发射能量分布 圈2．发射过程的示意图 我们对主峰和侧峰进行了拟合。拟合采用PSoven等人理论导出的金属场致电子发射分 布j(E一哟的表达式17】： c秽2m×坠芝≠竖， ∽ 邶吲=篙箬篷第唧崎4 其中m为电子质量，F为电子发射点的电场强度，o。是金属的溢出功函数。f①．助是温度T 下的费米分布，表达式为； f(E-F{)=[1+exp(E-E／)／kr]一1 (3) T假定为300K。另一方面，考虑仪器的宽化效应