中性卤离子溶液中邻香兰素类希夫碱对铜的缓蚀作用地研究.pdfVIP

COl2 中性卤离子溶液中邻香兰素类希夫碱对铜的缓蚀作用的研究* 马厚义，全贞兰，李淑兰，陈慎豪 山东大学化学院，济南，25叭oo(E-mail：hyma@chenLsdu．edu．cn) 摘要 希夫碱(scbjfr basc)是指含有亚胺基(R．c-N．)的一类化合物，业已发现某些过 渡金属(如钴、铜等)的希夫碱配合物具有抗癌和抑制肿瘤的作用。但是关于希夫碱 对金属铜、铁等的缓蚀作用的研究却鲜有报道。本文以几种邻香兰素类希夫碱为 例，研究了它们对金属铜腐蚀及阳极溶解的缓蚀效应。 在卤离子介质中，铜的阳极动电位扫描曲线显示出两个阳极电流峰。第一个峰 的不同，cu①可以被氧化成氧化铜或者是氢氧化铜川。稳态极化曲线的测试结果显 mol 示：在O．5 crn-3的氯化钠溶液中，两个阳极电流峰所对应的电位分别是．48mv 和272mV(均相对于sCE)。在相同浓度的溴化钠溶液中两个峰电流的位置分别是 ．128 mV与99 mV。另外在较低的阳极电位下，不同浓度的氯离子或溴离子溶液中 所测定的交流阻抗谱都显示出一个明显的warburg阻抗，表明铜的阳极溶解与反 应物的浓度极化密切相关。根据前人的研究结果，我们认为在较低的阳极电位下， 金属铜的阳极溶解由以下两个步骤组成瑚。 Cu+x．§CuX+e‘ (1) CuX+x．呻Cux2。 (2) 在腐蚀电位下，一般认为铜在中性卤离子溶液中的腐蚀是由铜的阳极溶解和溶 液中氧的阴极还原反应所组成的。虽然氧的还原反应也存在浓度极化的影响，但 是我们认为所观察到的w抽urg阻抗主要是由于铜电极表面生成的cux2’向本体溶 液中扩散所引起的p’4l。 在不同浓度的氯离予(或溴离子)的中性溶液中加入邻香兰素类希夫碱后，稳态 极化测试和交流阻抗结果都表明铜的腐蚀被强烈地抑制，但是腐蚀电位与两个阳 mol 极电流峰对应的电位变化不大。例如，在O．5 cm．3的氯化钠(或溴化钠)溶液中 加入10‘5m01．cm4浓度的邻香兰素邻苯二胺Ⅳ．o-Ph-V)后，恒电位稳态极化曲线表 明：v．o．Ph．v的加入同时抑制了铜电极上发生的阴极反应和阳极反应。相比之下， 对阴极反应抑制更强烈。稳态极化曲线的特征是：V-0-Ph-V加入后，铜的第一个 阳极峰电流显著下降，但第二个电流峰的高度略有下降。另外随着铜电极在含有 溶液中浸泡时间的增加，v-o．Ph．v的缓蚀效应越来越强。EIs的测试结果也表明： 在有v．o．Ph．v存在的情况下，w缸bllrg阻抗随电极浸泡时间的增加逐渐消失，当 +国家自然科学基金资助项目(编号。 C012 电极浸泡时间超过O，5小时后，warbu唱阻抗完全消失，所测定的阻抗谱由两个容 抗弧组成。其原因是由于V-o·Ph—V在铜表面的吸附对铜腐蚀过程的阴极反应速度 与阳极反应速度的影响不一所引起的。 为了研究V．o．Ph-V对金属铜阳极溶解的缓蚀作用的机制，我们对含有 V-o-Ph-V的卤离子溶液中铜在两个阳极峰对应的电位形成的阳极溶解产物用FnR 谱进行了定性分析，结果发现在低电位阳极峰下形成的产物FTIR谱与cum的 氮、碳元素。这表明在上述介质中V-o-Ph．v与卤素离子以竞争的方式参与了铜的 的配合物，因而V—o-Ph-V在与卤离子的竞争中优先参与铜的溶解，在铜的表面形 成了稳定的配合物，大大抑制了铜的溶解。 V．o．Ph-V容易通过自组装的方式吸附在铜电极表面。首先将铜电极在去氧的 V．o．Ph．v浓溶液中(100m01．cm-3)浸泡40分钟，然后放入不同浓度的卤离子溶液中 在腐蚀电位下进行阻抗测试。在此实验条件下几乎观察不到w蛾阻抗，说明 V_o．PhIv在铜表面自组装成一层薄膜后，有效地抑制了铜与卤离子之间的反应。 此外，我们还研究了邻香兰素对苯二胺Ⅳ一p-Ph．V)、邻香兰素组氨酸fv．His)对