锗硅基区禁带变窄量地研究.pdfVIP

锗硅基区禁带变窄量的研究 金海岩高玉芝赵宝瑛张利春 (北京大学微电子学研究所北京100871) 摘要：本文采用一种新的方法计算双极器件中原位掺B的sj。。『Ge。。锗硅基区禁带变窄量。这种方法利 算出基区的禁带变窄量△B．。刚这种方法测试的锗硅基区禁带变窄量为151meV，这个测量结果与文献中 的数值符合得较好。 1引言 ”“。由于需要在全温区范用内测量材料的方块电阻，因此这种方法对恒温设备和测量仪器的要求都很 高，而且当测量温度范围较人时，ln(正／^)～1．／T不再为线性关系。使测量误差增大。为了简化测量过 器件的电学特性．不需要恒温’发备。我们用HP4156B半导体参数分析仪测量了多晶硅发射极晶俸管和锗 相应的I。数值。在两个温度F作inl．～‰图．得到两条直线．通过对其交点进行数据修正，便可计算 出较为精确的禁带变窄鼻}。采用这种方法测量了原位掺杂的锗硅基区双极器件，其禁带变窄量为 】6lmeV。 2许硅反栩暑件基压豢带变窄的计算 对于n_p—n砖般极晶体管，在假定基区为均匀掺杂豹条件F，集电极电流密度可简单地表述如下 3 的禁带宽度，它是温度的函数。 如果si基区由SiGe基区所代替，则方程(1)变为”1： 蛐“耻k跚m x鼍裟箬篙窘鼍篙唧竺≤竽㈨ NhM分别为导带和价带中的有效态密度。 令c例∞=瓦NC(Si而o,)Nvfsi“)(T)篙篙等霈 ㈣ 假设si和SiGe的有效态密度、迁移率随温度的变化规律相同．则c6w可认为是一与温度无关的 一32I 常耸。『N此彳j fi[kT)4lX．B(S0(T)PPB{Si)(T)RB(T) Jc(slG¨(T】_c(siGc)4一h2x2。)3(mnmp —EG(+。△E2— ×oxp—q—V—B—E————————A●E：■G—B———。L——A—Es (4) 11KI 令 (5) “T)托Is㈣4B(詈)3(mnmp^kT)4№刚(Tm岬{)(”RB(丁) (6) 则Jc【sm)(T)=f(T)“p—qVB—E-—EG—(T)‘+A丁EG—B．+—AEg一-AEs 筲式两边取对数，有： 】n (7) Jc(s，Ge)(T)=|nf(T)+—qVB—E-—EG—(T)1+A丁EGB—+—AEg一-AlEs R．可以获得两条 对下一定的温度T，1nJ．与Vn是线性关系，斜率为q／kT。如果取两个温度点Tn 直线 In (8a) Jc(s陆)【T1)=1nfn)+—qV—BE—-—EG—(T—I)j+AiE—oa—+—AE—g-一AEs In (8b) Jc(s．G毫)(1j)=Inf(TI)十!!j型三二二!皇j!!∑!；i；!曼堡L±兰：!!-E—二!!兰旦 两条直线的交点Vm可令tnJ”一(T。)=lnJ“s，¨(T：)求得： nln2kTlT2Infr(t