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铟镓砷PIN光电探测器辐熙r射线
和质子损伤机理的研究
李学颜
(信息产业部电子十三所石家庄t79信箱37分箱050051)
摘要本文是用电子十三所研制的长波长红外探测器InGaAsPIN进行r射线和质子辐
照的研究．R射线的是高剂量是3E6
tad(Si)．辐照结果表明器件暗电流略有增大．击穿电压
基本不变t响应度变化在30％以内．在2MeV质子能盈辐照下，采用不同的剂量辐照结果表
明在I’10。，／cffl2下，器件全部损坏．当剂量减小，损伤程度减小．当剂量小于1+10io／cm2时．
器件性能参数摹本不变．实验证明当有屏蔽时．器件损伤大大减轻，本文还对器件损伤机理
进行了分析．
这些实验结果对InGaAsP[N器件在宇航通讯中有重要意义．
关键词InGaAsPINr射线质子辐照损伤机理
1前言
光通讯领域要用大量的光电器。而这些器件在宇航通信中和核爆炸环境中工
作不可避免的遇到各种粒子和射线的辐照，研究这些粒子和射线的辐照对光电器件
测器的抗辐射性能的研究也十分重要．因此研究y射线和高能粒子(如质子)对探测器
的性能产生影响．摸清这些射线和粒子对探测器的影响，对提高改进器件的性能来说
就显得十分重要．
‘
2实验过程和方法
2．1．样
躅1 InOa．舡PIN结构
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2．1．1．器件结构：我们制作InGaAsPIN。其结构如图1所示。
2．2器件工艺流程图
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2．2．1．实验方法：
共分两大组，一组进行Y射线辐照实验另一组进行质子辐照．再分若干小组进行不同
剂量的辐照，在辐照前一般都进行必要的性能参数测试，然后辐照后
再进行测试，一共处进行2批。
3．实验结果：
表1．谢线辐射结果
反响击穿也压(V) 反响电流(hA) 响应度(p^扯w)剂露
汰辐J!c[前 辐照后 辐照前 辐照后 辐熙前 辐照后
2 35 34 OS 1 0．卵6 0．8l 23E6
3 20 20 l 2 067 0，74 rad(Si)
4 40 39 2 25 0．76 0，95
6 32 3l 1．5 25 0．85 089 3E6
8 65 65 4 9 0-876 O．95
表2 T射线辐射结果
反响击穿电压(v) 反响电流(nA) 剂量
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