液相外延法生长Hg-%2c1-X-Cd-%2cX-Te薄膜地研究.pdfVIP

液相外延法生长H91吨CdxTe薄膜的研究 The onthe of study liquid-phaseepitaxy Hgl{CdxTe 周立庆 王金义 朱建慧 华北光电技术研究所 [摘要]将相平衡形成母液法和碲化汞补偿合成母液法结合起来，探索出一种液 相外延生长碲镉汞薄膜的新方法。利用该方法，生长出来的碲镉汞外延膜，表面 形貌好，组分均匀．电学性能良好，制各出一定性能的器件。 l waS newmethodfortheiquid—phase of [Abstract]A epitaxyHgHCdxTe hadthe of methodand advantages ibrium developed．which phase—equil LPE with surface epilayers ]{gTe—compensationmethod．Hg|_xCdxTe good and electronic have good homogeneity parameters morphology，composition SUitedwellforIRFPA． have beenaehieyed．which [关键诃]碲镉汞液相外延薄膜材料 LPE epilayer [Keyword]Hg【xCdJe l-前言 由丁-Hg。Cd、Te红外焦平面列阵技术的发展，对于碲镉汞材料的面积、均匀 性和电学性能提出了更高的要求。如何生长出性能优惠的Hg。cd，Te薄膜材蚪． 已经成为国内外研究的重点。Hg，一。cd、Te薄膜材料的生长方法有液相外延法、分 子柬外延法、金属有机化台物气相沉积法以及它们的组合生长法，其中，液相外 延法以其技术设备简单、成本低．重复性好，成为各国红外材料研究的重点。 目前．人们普遍采用富Te母液法生长碲镉汞液相外延膜，其方式有滑舟式、 浸渍式、倾斜式等几种，其中富Te滑舟式液相外延技术在国外已经是相当成熟 的技术，已经形成规模生产能力，满足器件的耍求。国内各研究机构当前也太都 采用此方法，但由于工艺难度较大，尚处于工艺探索阶段。富Te滑舟式液相外 延技术国外成熟工艺是采用HgTe补偿合成母液法【1]，我们将此方法和相平衡形 成母液法Ⅲ有机结合起来，探索出一种富Te滑舟式液相外延的新方法。 2．原理 相平衡形成母液法是根据相律：f=k一巾+2，其中f为体系的自由度，K为体 系的组分数．m为体系中的相数，如果体系由3种组分组成，存在固、液、气3 相，那么体系的自由度f=2。因此，只要固定了体系的温度和平衡压力，体系的 成分在相图上就是唯一确定的。由此可知，在一定温度下，由碲、镉、汞3种成 份组成的母液，如果和固态的碲化铺及气相中的碲、镉、汞蒸汽达到平衡t母液 的成份在Ha如18In相图口1上是唯一确定的。由于镉、碲的蒸汽压比汞的蒸汽