新型的超高密度垂直磁记录介质-磁性纳米线有序阵列地研究.pdfVIP

新型的超高密度垂直磁记录介质 —磁性纳米线有序阵歹l『的研究 朱浩+，杨绍光，都有为 南京大学固体微结构国家重点实验室 南京大学物理系，南京，江苏210093 +hzhu@ufp．nju．edu．cn 捕要l 通过在阳极氧化Al，O，模板的纳米孔洞中进行电化学沉积的方法，我们制备了 Fe，co，Ni，Fe。4NimFe，。c03。等磁性金属和合金的纳米线有序阵列。纳米线的直径 们都观察到了矫顽力的增强，和矫顽力的方向依赖性。在比较和解释矫顽力增强原 因的基础上，我们又深入的研究了Fe，4Ni。合金纳米线的矫顽力和夹角的关系，用 球链模型对其进行模拟，计算结果与实验数据符合的很好。 关键词t磁性纳米线有序阵列，超高密度垂直磁存储介质，球链模型，非均匀转动 俺介， 磁性纳米线有序阵列作为一种新型的超高密度垂直磁存储介质已经引起世界各 国的重视，它的理想存储密度可达400G．bit每平方英寸(”，相当于目前所用1．44M． byte，3．5英寸电脑软盘存储密度的四十万倍。组成阵列的磁性纳米线垂直于膜面， 直径最小可到几个纳米，长度可以到几十微米。传统的颗粒磁存储介质的颗粒有一 定的尺寸分布和随机取向，所以颗粒小到一定程度会出现较严重的超顺磁性，影响 存储密度的进一步提高。可是阵列中纳米线的尺寸均一，有很好形状各向异性，所 以出现超顺磁性的尺寸可咀更小。由于纳米线可以很长，所阻信号噪声比也可以有 很大的提高。目前，许多方法已经成功的制各出了磁·眭纳米线阵列∞)，可是模板 法仍然是大家公认的较简单和便宜的方法．它制备的样品可以与许多复杂而昂贵的 手段制备出的样品相媲美【4l。研究这种纳米结构磁性材料，无论是在加深对微磁学 的理解哪或者是在促进它在超高密度垂直磁存储介质的应用等方面都有着重大意 到200G—bit每平方英寸，相当于3．5英寸电脑软盘存储密度的二十万倍。我们对磁 性纳米线阵列的磁性做一个比较，并对Fe．。Nk合金纳米线矫顽力增强和矫顽力各 向异性的性质做了深入的研究，发现磁·眭纳米线矫顽力的这种角度依赖关系可以用 球链模型很好的解释。 实验和结果讨论， 我们采用的模板是阳极氧化A1：O，模板，制备条件简介如下：25V电压，00c 环境温度，在O．4M H：SO。溶液中氧化10小时，然后在30。C5wt％的H3P04中扩孔 一可以看出，在一定的范围内，孔的大小均一，分布也比较有序。在这样的模板 ·38· {f， 得磁性纳米线阵列。在10wt％NaOH溶液中腐蚀掉模板，纳米线的TEM图见图 二，纳米线呈细长的棒状。磁性纳米线阵列的磁滞回线列于图3中。由图3的(b)， (c)，(d)，(e)，(D可以看出，它们的矫顽力比起相应的块材都有显著增强，而且它们的 易磁化方向都是沿着纳米线方向(或者说垂直于膜面)。其中铁．钴，铁．钴合金 纳米线阵列的矫顽力，大约16000e-一18000e，而镍，铁．镍合金纳米线阵列的矫顽 力大约8000c一10000e，前者因为它们的矫顽力较大，需专门的写入设备，较适合 做一次性写入存储器(类似于一次性写入光盘存储器)同时它们存储的信息也更稳 比较适合做可反复读写的高密度存储设备。我们认为，由于纳米线的直径较小．接 近于这些材料雕单畴尺寸，所以都从不同程度上反应出单畴高矫顽力的特征，其反 磁化也主要是均匀或非均匀转动。由于纳米线的长度比直径都大于1000．形状各 向异性在这里起着主导作用，所以他们的易磁化方向都沿着纳米线的方向。在所有 这些样品中，矫顽力都随所加磁场与纳米线夹角的变化而变化，下面我们对 Fc．4Nk样品这一性质做了进一步的研究。图4中方块是我们的实验数据，细实 线、粗实线、虚线、和点划线是根据理论计算的结果。由图2中，纳米线近似可视 为是由一些球链组成，所以我们选择了球链模