用固相反应法在硅基底上形成金属硅化物的研究和评价.pdfVIP

用固相反应法在硅基底上形成 金属硅化物的研究与评价 王金良王天民 北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心北京100083 x射线衍射法(XRD)和软X射线发射分光光谱法(sxEs)对它们进行了确定。 关键词固相反应法锰硅化物 x射线衍射法软x射线发射分光光谱法 1 引 言 摄近，过渡金属硅化物为了应用了二大规模集成电路(LSI)和高性能的电子器件，许多国 家的科学工作者们都做过大量的科学研究与实验探讨，并有很多先进的科研成果已用于生 产和开发。过渡金属硅化物从其导电特性来看，可以分成具有金属特性的和半导体特性的 两种金属硅化物。对于具有金属特性的金属硅化物，在应用与研究上主要考虑它的低电阻 率特性。而对于其有半导体特性的金属硅化物，我们所关注的是在硅基底上依靠夕}延生长 而形成的金属硅化物薄膜以及它的光学r土质的应用。过渡金属锰(Mn)的硅化物中具有MnSi 组成的锰硅化物显示为金属特性…，而具有MnSi。，组成的锰硅化物显示为半导体特性【“。 由于锰硅化物的组成、构造非常复杂，崩Mn硅化物作成集成电路和半导体器件的还很少， 但MnSi。，组成的硅化物是显半导体特性，所以，我认为在硅基底上形成这些锰硅化物薄膜、 确定他们地生氏方法，就一定能够使用于提高半导体器件的性能的作用。在硅基底上蒸发 物薄膜的组成与成膜时的退火温度有关。在一般情况F，金属成分含量比较大的硅化物薄 膜是在低温退火卜生长的，而硅成分食量比较大的硅化物薄膜是在高温退火下生长的。在 在各项化学性能方面都处于安定状态，并且关于它们形成过程和形成机构很早就有人进行 过研究口’“。固相反应法形成硅化物薄膜不仅与前述的温度有关而且与选取的基地硅的晶 Emission Diffraction)和软x射线发射分光光谱法(SXES：SoftX．ray 行了评价吼 2 实验方法 2．I试样的制各 在硅基底上制各锰硅化物，首先，我们把5寸P型、晶面取向为(100)的单面抛光的单 A，通电 真空室抽真空。当真空度达到10。6风以卜时，给硅基底通电加热，通电电流为0．5 时间为lo分钟。接着我们加大电流到7A，给硅基底二十次的瞬间脉冲退火，开、关时间分 别为5秒钟。这样我们就得到了非常纯净的硅表面。硅基底冷却到室温之后，通电加热放入 锰(锰的纯度为99．99％)碎快的钨丝小篮子，使锰蒸发沉积在硅基底上。沉积锰的厚度用水 晶振动子膜厚测试仪直接在真空室中进行测量来确定(实际上，试样取出后我们用多重反射 干涉法进一步进行了确认)。本次实验沉积锰的厚度大约为240lira。沉积完锰之后，在高真 一空室中直接通电加热退火Mn(薄膜)／Si(基底)试样。由于锰与硅从界面开始进行固相反应， MnSi。薄膜。试样的退火温度是用铂铑一铂热电偶来测量。 2．2锰硅化物的测试与评价技术 2．2．1 x射线衍射法(XRD) 能够连续或有步骤的扫描，衍射强度能够自动记录下来。根据衍射强度很大的角度0求出面 间距d，确定物质系统的构成。同时．也可以确定沉积薄膜的方向性。在测定薄膜的情况下， 只能检出平行于基底的晶面的衍射线。所以，通过x射线衍射仪我们可以知道这种薄膜结构 中物质的什么晶面平行于基底。 2．2．2软x射线发射分光光谱法(SXES) 软x射线发射带光谱如SPL：．，、Si-K。带光谱能够用软x射线发射分光光谱仪测得。 软x射线发射分光光谱仪这种装置是由日本岛津制作所生产的，它包括一个电子枪、一个光 子探测器、一个光栅衍射分光器和～个晶体分光器组成。详细的装置系统请参看文献le]。 3结果与讨论 3．1 XRD的结果 图I显示的是Mn(240 之后以及(c)没有进行热处理的试样的x射线衍射结果。为了比较方便，我们把(d)硅晶体的 X射线衍射结果也列在下面。从600。C退火的试样的X射线衍射谱我们可以看到除