GSMBE生长的InP基扩展波长InGaAs探测器研制.pdfVIP

MBE2013 口头报告 S9-4 GSMBE 生长的 InP基扩展波长 InGaAs探测器研制 * 李好斯白音，张永刚，顾溢，陈星佑，周立 中科院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室，上海，200050 短波红外波段探测器在空间遥感和气体检测等领域有着十分重要的作用。InGaAs 是制 备该波段探测器的优良材料，InGaAs探测器具有可以室温工作，探测率高等特点，特别适用 于空间遥感应用 [1,2]。对于遥感和成像用InGaAs探测器，要求器件具有低噪声和高响应度， 也就是说具有较小的暗电流的同时能够具备较高的量子效率，从而增强对微弱信号的探测能 力。InP基波长扩展InGaAs探测器通过增加InGaAs吸收层中In的组分使探测器的截止波长向 长波扩展，由于吸收层与衬底之间存在较大的晶格失配，会在材料中引入位错，在有源区中 形成复合中心，降低器件性能[3]。空间遥感应用要求探测器具有极低的暗电流，钝化等器 件制备工艺对于器件性能也具有举足轻重的影响，不理想的器件制备工艺会增大器件的暗电 流，同时也会降低器件的光响应。本文中，我们对InP基扩展波长InGaAs探测器器件制备工 艺进行总结研究，并对其器件光电性能进行了分析。 我们使用了VG Semicon V80H GSMBE 系统生长了InGaAs 探测器材料，器件工艺流程为 图1 所示，其中关键工艺为表面清洗，光刻腐蚀台面，钝化保护，电极制作，合金化等。由 此制作的典型InGaAs 台面型PIN 探测器器件结构示意图如图2 所示。图3 为室温下InP 基 波长扩展InGaAs 探测器典型的光谱响应图，50%截止波长为2.57μ m。 参考文献： [1] R. Hoogeveen, R. J. A, A. Goede, Infrared Physics Technology 42 (2001) 1-6. [2]R. Parker, H. Boesch, A. Cogan, A. Fraser, L. Feng, P. I. Palmer, J. Messerschmidt, N. Deutscher, D. W. T. Griffith, J. Notholt, P. O. Wennberg, D. Wunch, Geophysical Research Letters 38 (2011) L15807. [3] Y. G. Zhang, Y. Gu, in Advances in Photodiodes , edited by G.F.D. Betta, InTech, 2011, Chapter 17, p. 349. *通讯作者，Email: ygzhang@mail.sim.ac.cn 本文工作得到973 计划2012CB619202 及国家自然科学基的资助。 111 MBE2013 口头报告 S9-4 第一次 去除表面 PECVD淀积 清洗表面 腐蚀台面 去光刻胶 光刻 氧化层 SiN 电子束蒸 去除表面 第三次 湿法腐蚀 第二次 去胶 发电极 氧化层 光刻 SiO 光刻