用CdZnTe作为衬底HgCdTe分子束外延研究.pdfVIP

陈路，巫艳，于梅芳，乔怡敏，王善力，顾惠明，杜美蓉，杨建荣，何力 中国科学院上海技术物理研究所 半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室 3 上海市中山北一路420号，20008 63248028 tel：021 fax：021 ～．引言 用晶格匹配的CdZnTe材料做衬底，外延生长的HgCdTe薄膜材料是目前 制备高性能红外焦平面器件的关键技术。HgCdTe材料的位错密度将直接影响 红外探测器的性能。衬底中的位错将延伸到外延层中占，所以外延层中的位错 密度与衬底位错密度有着必然的对应关系。但是，单纯地通过降低CdZnTe衬 底位错以达到降低HgCdTe位错的目的是彳i够的。理论与实验表明，它还受到 衬底制备工艺，具体生长条件等多种因素的控制。 二．实验 分子束外延超高真空系统，外延生长HgCdTe薄膜材料。采用位错腐蚀坑密度 5％溴甲醇腐 分别采用了Everson腐蚀液和Chen腐蚀液进行位错腐蚀，再经O 蚀2sec去除表面氧化膜，适量甲醇漂洗。 二．实验结果与讨论 CdznTe材料机械抛光后表面会有一定的损伤层，衬底化学抛光工艺就是 为了完全去除这一损伤层。我们对大量CdZnTe(1l】)13样品进行剥层腐蚀， 研究EPD随剥层深度的变化，确定损伤层厚度。对cdZnTe(2I1)B样品在不 同工艺条件F进行处理，腐蚀出表面的EPD值，然后对其进行深度剥层，腐蚀 出内部的EPD值，刘比后确认最合适的衬底表面抛光工艺。图1是2个Cd2：riTe (1II)B测试样品的EPD随剿层深度的变化曲线。可以看出样品的EPD均随 腐蚀深度的增加单调降低，月到约20微米的深度时曲线趋于平坦，可见损伤层 深度约20微米。表1给出r化学抛光时间与抛光后EPD的关系，为了确认损 伤层的去除效果，对这些样品进行了深度抛光，结果也列在其中。可以看出3 分钟I％溴甲醇化学抛光能够有效去除表面的机械损伤层。 实验发现，HgCdTe薄膜的位错密度与生长温度密切_f}{关。圈2是在不同 EPD 温度F生长的HgCdTe薄膜位错密度的比较曲线。175。C下7p长的HgCdTe 33×10‘沁m2，190 平均为279×107／cm2，180℃的为594×106／cm2，185℃的为l ℃的为72×105／cm2，可见HgCdTe薄膜EPD随着尘长温度的升高而降低。 以上实验表明，机械抛光会在CdZnTe表酾产生约20tun的损伤层，3分钟 l％溴甲醇化学抛光能够有效去除表面的机械损伤层。适当提高生长温度有利于 HgCdTe位错密度的降低。可见充分的化学抛光、合适的生长温度足降低HgCdTe 位错密度的有效手段。 表l各种表面抛光T艺对损伤层的去除效果 处理T艺 深度抛光前EPD值 深度抛光后EPD值 (E4／cm2) (E4／cm2) o5分钟1％溴甲醇化学抛光 4425 245 1分钟1％溴甲醇化学抛光 2075 95 2分钟1％溴rp醇化学抛光 25 1 375