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Effect)的研究
自旋阀中赝霍尔效应(Pseudo—Hall
李健赖武彦
中国科学院物理研究所和凝聚态中心磁学国家重点实验重北京100080
结果和实验值符合的很好。自旋阀的赝霍尔电压来自于电导张量的非对角元电子平均自由捏塑奄啼
异性确耍能够反映磁电阻的各向异性和赝霍尔敢恕利用一致转动模型计算了这两个电辱l疆咝堑丝iL
变化发现这种变化趋势和实验曲线几乎完全一至虹计算表咀自旋阀中的赝霍尔效应和磁化丑程密切
相先
1．引言
应已经成为下一代超高密度磁记录的读出磁头的最有希望的候选物之一a在很小
的磁场作用下，自由层舻M1)的磁化强度在膜面方向就可以自由转动而钉扎层(FM2)
由于反铁磁层的钉扎作用，在小的磁场下(低于钉扎蚴，磁化强度方向基本不变自
由层和钉扎层的磁化强度间的夹角变化将导致自旋阀的磁电阻变化[1]。
然而，由于磁性层中的各向异性磁电阻渔MR)效应与磁化强度和电流方向间
夹角有关AMR也将随着磁化强度的方向的变化而变化。因此在磁电阻的测量中需
要将AMR的部分扣除对于具有AMR效应的磁性薄腱平行和垂直于电流密度方向
的电场可分别表示为【2]：
2 O (1)
E，=Jp．十a(pJ—Pi)c。s
co (2)
0 s0
E，=J(pl—p1)sin
别代表平行和垂直于磁化强度方向的电阻率． 由式(2)可以看出电阻率的各向异
性(p，。’P)诱发一个膜面内垂直于电流方向的电场这一效应被称为赝霍尔效应
多。
Guohong
尔电压和磁电阻电压发现当磁场垂直于电流发现时，艚霍尔效应并不消先并且随着
磁场的变化有复杂的变化(图1)。
2理论分析
对于一个磁场和电流部沿膜面方向的自旋阀 电流密度J(J，，^)和电场
E(E，E)有如下关系：
(咎(Z圳(Z) ㈣
其中最是电导张量矩阵上标1代表逆矩阵只要我们能求出磊．就能求出磁电
阻电压和赝霍尔电；晕 玻尔兹曼方程一誊示为。
g‘㈨(f，F)
f．!l二：：塑一。官．i!I掣：一
or fs 一tf{)
作用下偏离平衡态的部允上标。分布代表主自旋态和次自旋态。考虑到费米面附
效应类似于文献【4]，假定^¨’和磁化强度M与电了二速率F间夹角9有关．
2
OS c5)
且．(¨(口)=A：‘+’【l一日¨‘’co)
aH”表征r散射的各向异性，更高阶的角度依赖关系忽略小训i
令i=舌／v，，求解方程(4)，可阻得到耳”’(i，F)在z方向(垂直于膜圃的分布’
g’…(i，i)=口F兰L^■，(f．f) (6)
由式(6)，呵得到电导张量i．：
60 会议论文集 1999车
口：‘4)：。生了三一fd：『dlii．口，^：舻’(i，z) (7
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