新型稀土配合物电致发光器件探究.pdfVIP

新型稀土配合物电致发光器件研究 梁玉军郑佑轩张洪杰林秦王淑彬 (中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室长春130022) 摘要合成了一种具有良好挥发性的铽三元配台物：Tbomc)4ctpy，其中acac 为乙晚丙酮，为十六烷基吡嚏。将Tb(靴)·ctpy作为发光层用于电致发光，器件 Im／W。 cd／m2时达到o．033 20V驱动电压下发光亮度可达44ed／m2，流明效率在1 关■词稀土配合物 发光二极昔 绿色发射 有机薄膜电致发光(OEL)自从c．W．Tang发表了高效、高亮度双层结构器件以来，以 g-i动电压低，可制成大面积的平板显示而成为当前显示器件研究的热点。现如今已经合 成了一系列有机小分子和聚台物电致发光材料，通过调节分子结构，在可见光区可获得不同 的发射光。可是大多数有机小分子和聚合物材料制作的有机薄膜电致发光器件的发射光谱 nm，色纯度不好，不利于显示和显像。于是具有窄带发 谱带根宽，半宽度一般在100—200 射特性的稀土配合物吸引了人们的注意。但至今已发现的可用于电致发光的稀土配合物材 料还不多，主要集中于p二酮类稀土配合物上。用于绿色发射的主要有：rh(AcA)3phen， (DBM)3bath，Eu(DBM)3phen等。 本文合成了一种可以真空蒸镀的稀土配合物Tb(acac)4ctpy，井将其用于电致发光器件 的制作。 1实验部分 1．1实t嗣试 电致发光特性澜定均在直流偏压的条件下进行。使用RF-5000型荧光光谱仪测定光 致发光和电致发光光谱。电致发光的强度由已校正过的ST．900型亮度仪测定。直流电源 升幅控制在1V／4S。所有测试都在空气气氛条件下进行。 1．2样品制鲁 我们采用的发光材料是乙酰丙酮铽三元配合物，其合成步骤为：将4．4mmol的乙酰丙 480 ．7之间，然后慢慢滴人Imraol的Tbcb乙醇溶液．搅拌2h，过滤，先后用乙醇和蒸馏水充 (括号中为理论值)。 1．3量件捌作 Chemical Ltd．，分子量为150000)。采用氯仿做溶剂，转速 上甩涂一层PVK(购于Kanto 上，蒸发速率保持在0．2nm／s，真空度保持在3×100Pa以下。最后在相同的真空条件下 镀上一层150nm厚的铝电极，蒸发速率保持在10nm／s以内。 Alq3 TMscac)4c唧’ 图1 Tb(scm)tctpy器件结构 2结果与讨论 PVK是一种空穴传输性能较高的聚合物，它的发射峰位于430nto附近，由PVK与Tb (ac”)．ctpy有机薄膜制成的双层结构器件(如图1a所示)的电致发光光谱如图2所示，其 厚度，发射峰型无变化。这说明外加电压压降主要分配在Tb(acac)。ctpy上，电子、空穴复合 或电子俘获后的跃迁只发生在Tb(acac)．ctpy层中，该器件的电学特性主要反应出Tb3+的 特点。双层结构器件的电致发光光谱与PVK层无关。而在光致发光光谱中存在PVK的 导的镧系化合物不能很好地传输载流子相一致。双层结构器件虽然能发出Tb3+特征光，但 其亮度非常低，最大亮度低于lcd／m2。 为了增加电子与空穴在发射层的复合几率，增加器件的发光强度，我们制作了如图16 所示的三层结构器件，较双层器件增加了一个电子传输层(AkD)。图3和图4分别给出了 该三层器件的I．v特性曲线和B．V特性曲线，可以看出该器件有较好的整流特性，在直流 正向偏压下，当电压大于t1V时，电流开始明显增大，此时产生光发射。当电压达到20V 时，器件的亮度可达44cd／m2。该器件的电致发光光谱圈与双层器件EL谱图相似。在正向 EL操作下(1TO为正电极)，ITO中注入的空穴和Al电极注人的电子在功能层中移动，相遇 时结合为激子，激子复合，配体吸收激子能量从基杰跃迁到激发单重态．经过系间窜越到三