多层复合薄膜中成分变化能谱研究.pdfVIP

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电子显微学报J.Chin.Electr.Microsc.Soc 17(5)t573~5741998年 573 多层复合薄膜中成分变化的能谱研究 闰允杰唐国翌 (清华大学国家教委先进材料开放实验室,北京100084) 郑自攀 (中国科学院电子研究所,北京100080) 某种新型传感器材料采用在si单晶基体上制备多层膜结构,这些膜的成分特性将对传感器 件研究多层膜的成分变化特性,目的是为材料设计和工艺优化提供依据。 实验过程及结果 薄膜厚度。 同的加速电压测试多层膜制备过程中元素的分布特征。 利用Monte 明C元素主要分布在si。N。的外表层,应属于在薄膜形成后产生的表面污染。因此不应影响传感 器的性能。 在3.7—5.0kV加速电压范围内,能谱结果显示,随加速电压升高,o元素含量明显增加,当 N元素含量,这可能与电子激发区的体积增加有关。 结论 1.利用加速电压的变化和MonteCarlo模拟可以对薄膜样品进行成分的定性分析,如果配合相 应的标样,还可定量计算出薄膜的成分和杂质元素的含量。 2.利用低加速电压下x射线的作用体积小的特点,可对小于100nm的粒子进行成分分析,并能 获得高空间分辨率的元素分析结果(仅限具有低能x射线的元素)。 电子显微学报J.Chin.Electr.Microsc.Soe 574 17(5)l573~5741998年 “|+{‘ 0”≥,。≯0≯、u 1譬瑟 图i传感器中多层膜结构示意图 图2传感器表面形貌像 图3 0.8kV加速电压下电子激发区域轮廓图 图4 5kV加速电压下电子激发区域轮廓图 图5 0·8kV加速电压下多层胰EDS谱 图6 3.6kV加速电压下多层膜EDS谱

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