多孔硅光致发光温度效应探究.pdfVIP

20∞年10月·广西·北簿 第七届全国同体薄膜学枪议 赵莉丽，李清山，袁淑娟 (曲阜师范大学物理系 山东省曲阜市 273165) 摘要： 通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的实验研究，发现了空气中放置两周左 右的样品．艟测量温度从低温(12K)变化到到室温(300K)，发光峰均为双峰结构．而新 鲜样品的发光蜂呈单峰结构。将某～样品经过氧化处理后．所得样品的发光性质同原来相 比发生了显著变化，但样品经处理后所得新样品的发光性质与同其制备条件明显不同的某 一样品相似。堞中对出现这种现象的原因进行_『解释．根据样品的光谱性质，说明多孔硅 的发光受量子限制效应和表面态的双重制约作用J’， 关键词：多孔硅；光致发光7光致发光温度依赖关系^ 1 引 言 多孔硅(PS)光致发光(PL)的温度依赖关系被广泛地认为是一种能够有效地揭示Ps 发光机制的重要方法。许多研究者曾探讨过Ps的PL行为随温度变化的改变， Ps的发光强度在100__200K之间达到最大值而在更低温度又下降。光发射能量随温度的变 and 系不同；Fang，LiMa”’首次指出，当多孔硅在室温下的发光峰值波长较长时，从液 氮温度到室温，光致发光峰兰移，而当发光峰值波长较短时，则红移，并提出了三层模型进 行解释；刘小兵．熊祖洪…等总结出了随温度的下降高孔度多孔硅光致发光峰位兰移而低 孔度Ps发光峰红移的规律。PS发光峰随测量温度改变的变化规律，文献上至今投有统一的 解释，随测量温度由低到高，有人观测到发光峰红移，有人观测到兰移，有人观测到保持 不变．并且提出了几个模型对温度行为进行解释。本文用阳极化方法所得样品作为研究对 象，用低温能谱检测系统对PS的温度依赖关系进行了实验研究，并根据实验结果作了简要 分析。 2 实 验 本实验所用样品均用阳极氧化法用 双池崩备，样品池材料为聚四氟乙烯． 制备时以单面抛光p-Si100．20—30 oⅧ为衬底，电解液用浓度不小于40％ 的氢氟酸与浓度不小于99．7％无水乙醇 按不同的体积比配制而成。阳极化在自 然光下进行，用稳漉电源供电。硅片在 反应前先用超声波洗涤器清洗(具体过 程为：先用丙酮为清洗液洗两追．每遍 时间为i0分钟．再用无水乙醇清洗两 遍，时间也是10分钟)．洗后放于内有 图1 低温光谱系统组成图 无水乙醇的广口瓶中，以防止硅片被污 染。阳摄亿完成后，将样品先用去离子 水冲洗，再用无水乙醇冲洗，样品在室温、空气中自然干燥。 光谱测量实验中所用激发光源为美国光谱物理公司生产的氲离子激光器．用488纳米 2000年lO月·广西·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 单色光进行激发．光谱测试系统由EG＆G公司生产的真空样品室，低温恒温制冷装置，光 谱仪，CCD检测仪，微机几部分组成。光路如图1所示。实验中进行测量的温度范围为 X 12K一300K，激光器功率为40mW．真空室所连真空泵的极限真空为6．210。帕斯卡。 3实验结果及讨沦 为测量不同峰值波长样品的光致发光温度依赖关系，实验中对不同浓度配比下阳极化 所得样品进行低温光谱测量。样品p64制备条件为：p型硅村底，电解液浓度为HF： 图2样品p64在不同温度下光谱比较，图中教图3p64样品的双峰蘸温度的变化趋势图 2所示。强度为相对强度。随温度从低温到高温，样品发光谱均为双峰结构。将不同温度 下的谱线进行高斯分解．得蓟高能和低能两个发光峰，进而得到两个发光峰随涨的变化． 图4样品pB2的光潜圈，图中数字为测量相 应黼的戤(K) 图5 p82籼波长{瞳涨的变化缱 如图3所示。由此图可以发现：此样品的高能蜂在660纳米左右，低能峰在760纳米左右。 高能峰随温度升高表现出红移，而低能蜂发生兰移。下面我们再看样品p82的光谱，此样 谱随温度的变化图如图4所示，峰位移动图如图5所示。由图4可见，其光谱均为单峰结 构．由峰位比较图可以看出，其峰位随温度升高明显兰移。为了更好地分析多孔硅的发光 机理，我们对样品p