等离子体氧化制备的Ni-%2c80-Fe-%2c20-%2fAl-%2c2-O-%2c3-%2fCo三层膜地研究.pdfVIP

1999年 第十届全国磁学和磁性材料会议论文集 183 等离子体氧化制备的Ni舳Fe√A120dco三层膜的研究 杜军陈景吴小山鹿牧翟宏如胡安 南京大学物理系和固体微结构实验室南京210093 的双H。磁滞回线，为制各具有巨磁电阻效应的隧道结提供了必要条件。 1．引言 众所周知，磁性隧道结是近几年来凝聚态物理领域的一个研究热点，是一种具有极大应用前景 的新型多层结构(参见本论文集另一相关文章)。磁性隧道结由上下两层具有不同矫顽力的铁磁层(或 其中一铁磁层被钉扎)及很薄的中间绝缘层构成。为了能够制备出具有巨磁电阻效应的隧道结样品， 首先必须达到的基本条件是厚度约为几个纳米的致密的中间绝缘层。其次，最好能观察到明显的双}1。 磁滞回线。为此，人们用了多种方法制备中间层，诸如自然氧化n】、反应溅射”1、直接溅射沉积”：、 AI，O，／Co隧道结三层膜的磁性等结果。 2．实验 样品是在JGP600A型超高真空多靶磁控溅射仪中制备的。衬底为玻璃，溅射前背景气压小于1．0 均为1．2Pa。氧化过程是这样实现的：A1层镀完后，在不破坏真空的条件下用机械手立即将样品传人 与溅射腔紧密相连的另一真空腔中，在该真空室中利用射频电源输出的高压击穿氧气产生O：等离子 体，从而将样品氧化，氧化时氧气压9～10Pa。我们做了如下的实验：(1)．固定AI膜的厚度改变氧化 对磁滞回线的影响，由此得到双H，磁滞回线隧道结三层膜的制备工艺。我们采用低磁场振动样品磁强 谱仪、原子力显微镜(AFM)及X射线光电子谱仪(xPs)测量并分析铝膜的氧化性能。 一 3．结果和讨论 (1)．At膜氧化的研究： 图1为四块样品的光透射谱，它们分 (4 0nm)；d．玻璃衬底，其中样品a，b，c均以 d为衬底。可以看出．A】膜氧化后，光透射 率增大，这是由于A{氧化后形成较透明材 料At，O，，从而增大了透射率。AFM表面形 貌图f略1表明Al膜氧化后，晶粒粗化，表面 8nm变 粗糙度r。增大(1um2范围内ra从0．1 化至o．55nm)，这也可能是氧化所致。 图1样品a．b-c．d的光透射谱 图2为上述样品a与b的XPS—AI 2p 184 会议论文集 1999皇 jq舟口骂鼍．一