Y-%2c2-O-%2c3-作助烧剂Al-%2c2-O-%2c3-%2fSiC-%2cp-陶瓷断裂行为SEM研究.pdfVIP

电子显赣芈报 J．C‰．EI枕tr．Mk∞牝．Soc． 19(4)l605～6062000年 Y203 作助烧剂的Al：0。／SiCp陶瓷断裂行为的 SEM研究 }{i；，，j，；l‘■；i}，}●， 杨静漪 蔺玉胜 张巨先 (青岛化工学虎，青岛266042) 纳米蔓橱膏蠢镶认为挹二十世圮量有发展前途的一瓷材料之一。在陶瓷基体中弥做亚擞米 簸的第二相曩垃，可嫠材辩的机■性镌太辐挺膏。显徽观察发现了区别于徽米级复合一瓷的。内 量型”粒子的存在，选童睬着蚺米复台冉瓷性能的改善与其特殊的徽观结构是密切相关的。其中 Al：O。／s配．是研究量多的系统，但由于|I：傲相siC为共价键，很难烧结，因而Al：O。／siC，纳米If 相一瓷一最用热压烧结[1。]。但由于热压烧结成本昂贵，制品形状简单，掇大地限制了其实甩性。 本文和用非均匀戚棱法，将Y(伽)a包覆到纳米SiC的粒子表面制备出Al：0a—S配复合粉，等静 压成蔓，在1780℃下无压旃结2h，侧备出Al如，／SiC，复相一蠢材料。涓量了材辩的抗弩强度及 烧结体密度，使用JEM一2000Ex／ASm20型电■观察烧结体的断口形貌，分析了材料置擞结构 与力学性麓的关系． 图1是^山O，／SjG复相一瓷材辩的抗夸强度和相对密度与YzO。加人量舶关系。从田中可 以发理，烧瞎休的相对密度和抗弯强度奠烧靖曩加刺Y，Oa的加入量的增加而增大，当烧结助荆 Ytoa加入量的质量百分教大手6％以后，烧锗体的相对密度不再增加，保持在96．8％左右．材料 的量度却由量太基●宥下降．这是因为一瓷材辩盼强度量由其内在性能决定的，工艺条件只雌通 过改变膏瓷材辩的量t结构来改善材辩的性蕾． 片。从圈中可以看出，瞳着Y10，加人量的增大，一瓷材料的囊密性增强，但由予■瓷矗粒问出现 了大量的玻璃帽，在促进了烧结的同时也有利于晶粒长大，加上无压烧结强度较高，致使一瓷材 料的晶粒较粗大．一般都在1咄m以上。从田2中还可以发现，^J：O。／SiG一瓷主要以穿晶断裂 模式为主，这一点与文献报道的结果相一致“-5]。这是由于陶瓷材料断裂时裂纹主要沿着结合强 ，_，{，}，．}{{÷^+，}{，．{，{{，●，JI|{，{}，，}i 度量低处发晨。由于弥献相SiC的加人，会在Al：O。基体中形成。晶内型”结构，而两相囊粒的热 膨胀系数及弹性麓量的差异，在次界面齄存在很大的应力，这种■配应力使“最内型”结构中的基 体晶粒内产生大量的位■，从而使基体^粒中存在大量的截裂纹，因而易出现穿晶断囊。而且从 图3可以看出，穿■■囊主要发生在烧螭敲击处。 同时。由于是无压烧培，在Al：O；／sic。一瓷材料中还存在一定的气孔率。尤其当气孔存在于 晶界时，在晶再上棘会存在裂坟，从而发生沿晶断裂(如田4)。 ●考文■ 974 K．J．cmm．soc．Jpn，1991．99(10)l [1]Niihm 243 [2]蕾曩皓一辱．糟体扣上伊粉末冶金．1989，38(2)t 239 [3]中平蕞．糟体扣上圹粉末冶金，1989．36(2)t 0)t 1226 [4]上田膏靠辱．糟体扫上伊糟末冶盘，1994，4l(1 H，et 503 [5]曩I∞J 11．J．Am．cc阻m．s。c．，1993，76(2)I