X波段3WGaAs+MMIC探究.pdfVIP

GaAs X波段3W MMIC研究 冯震 高学邦 (信息产业部电子十三所石家庄050051) 0B矢量网络分析仪测量器件在不同偏置下的s参数．把测 萼辱粤々击穿特性，捌用IIP851 警尊，进尊垡化计算即可获得器件的大信号模型参数．图1为5000哪器件太信号模型参薮、 竺{|!：：一!矍性与拟合i—V特性及测霞的s参数与拟合的s参数．从图上可以看出实磊i线 与拟合曲线吻合的很好·I—V特性蓝线中的V—oV线由于实测时有自激及负阻效应，有磊 图l 5000p．m器件脉冲f—V特性与拟台I-V特性厦测量的s参数与拟台的s参数田 3．电路CAD优化 3．i电路拓扑 我们选择的电路拓扑如图2所示． 5000uln 1 0000“m 图2电路拓扑图 3．2电路CAD优化 电路CAD优化采用HP MDS微波设计软件．在电路的CAD优化设计和版图设计中，即 要保证主要技术指标满足目标要求，又要考虑到舨图设计中的互执及工艺设计的可行性． 在卒电路的CAD优化设计中，由于电路中匹配电容受版图及工艺的限制，电性能满足不了 设计要求．鉴于此我们对电容模型进行了修改，利用新的电容模型进行c^D优化后，电路 性能快达到目标要求．下图是CAO优化后的电性能参数，及根据CAD优化结果设计的电路 版图． GZ 诉(dB) h(dB皿) (0 lO．2 35．2 2 lO．4 35．4 4 10．5 35．5 6 10．5 35．5 8 10．6 35．6 ¨蛐蚰州¨啪m． 0 10．6 35．6 m． 2 10．5 35．5 m． 4 10．4 35．4 m． 6 l0．2 35．2 未衄蹰丰越大电辟 ～20】～ 3．3DOE分析 为了减小芯片制作中工艺偏差对电路性能的影响，降低电路中各元件的灵敏度t进行 了DOE分析．并根据DOE结果对电路中敏感元件值进行了调整． 三．工艺制作 电路芯片的制作是在2英寸GaAs军标线E完成的．电路芯片的成品率主要取决于有源 5个电容，两级有源器件的总栅宽为 器件的成品率及电容的成品率(在3W的电路中共有1 iN介质的各向异性， 15000舯)．丽0．5～0．6岬的栅长是电性能的保证．为此我们利用s 开发了自对准T型栅制作工艺，这样即保证了栅长在0．5pan，又提高了栅成品率．图3给 T型桃的SEM照片．电容的制作采用了介质多次淀积 出了自对准T型栅制作方法及0．5jam 的方法，使其成品率提高到95％以上。 瓣嘲 ■●_I UL 嚣霉罢愚静 一 图3自对准T型栅制作方法及0．51amT型栅的sEM照片 四．测试结果 考虑到功率州Ic的散热问题，我们把gMiC芯片装在OF96—6型管壳内进行微波参数测 试． 大信号功率测试结果如下表所示： 频 率：92一m2GHz