Ce：PbWO+4晶体的生长和其闪烁性能的研究-.pdfVIP

Ce：PbWO。晶体的生长及其闪烁性能的研究’ 徐衍岭刘欣荣徐玉恒 (哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨，150001) 比)，即化学定量比等于固液同成分配比。PbO的熔 摘要在PbWO．晶体中掺进Ce02生长ce：Pb— WO·晶体，测试Ce：PbWO·晶体的光学性能和闪烁 点为830℃，WO。的熔点为1417℃，由于两种成分熔 性能，研究PbWOt晶体的着色和消色机理 点相差较大，为了防止成分的挥发，应在原料配制过 关键词Cet 程中制订合理的工艺条件。 PbWO．晶体光学性能闪烁性能 1引言 2．2 Ce：PbWOt晶体的原料配制 钨酸铅(PbWO．)晶体属四方晶系，百乌矿结构， PbWO。晶体原料合成化学反应方程 空间群为cjh，它具有高的密度(8．289／cm3)，是闪烁 晶体中最高的。短的辐射长度(o．87cm)，是闪烁晶体 原料纯度：PbO．WOa、Ce02的纯度皆为99． 中最短的，衰减时间为26ns，是闪烁晶体中最短者之99％，采用万分之一天平进行秤量，在振荡机上振荡 一，它的抗辐照损伤能力强。这些闪烁性能数据可使 24h，为了防止PbO挥发，原料的合成烧结工艺如下： PbWO．晶体制作的闪烁探测器的体积小，探测速度室温等。。。℃≮}e。。℃鑫e。。℃ 快，分辨率高，可用于高能物理、核物理，大型正电子 对撞机的能量器的闪烁体，以及核医疗仪器等许多领 与}1050C—茜1050℃丽室温■丽■—商 丽室温 域[1]。但PbWO．生长中容易着色，使其发光效率降 2．3 Ce PbWO。晶体生长工艺参数的选择 低，在PbWO．中掺进Ce02生长Ce：PbWOt晶体， Ce02在PbWO·中起到消色作用”J，使透过率和发光 效率提高。Ce，PbWO。晶体的闪烁性能优于PbWO． Ce：PbWO．晶体的工艺参数有温度梯度、晶体生长 晶体。 速度、晶体旋转速度、晶体的退火。 2晶体的生长 (a)温度梯度分为轴向温度梯度、径向温度梯 度．选择温度梯度要注意下面几点，熔体表面中心区 2．1 PbWOt晶体的相图 域形成合适的过冷度。晶体生长时温度稳定，晶形容 易控制。晶体的热应力小t不产生裂纹．不产生组分过 PbWO．晶体的相图如图1所示。由相图中看到 冷。合适的温度梯度是生长高质量Ce；PbWO．晶体 重要条件之一。轴向温度梯度是以液面与液面上lcm 处的温差来表示，本实验的轴向温度梯度为40C／ Cm (b)Ce：PbWO．晶体生长速度：晶体生长面沿 其法线方向单位时问内增长的厚度称为轴向生长速 度，它包括机械引上速率和液面下降速率二部分，晶 体生长速度太快，在晶体内易形成气泡和胞状组织， 掺杂成分不均匀等缺点。晶体生长速度的大小和