W／Mo纳米多层膜生长结构研究.pdfVIP

W／Mo纳米多层膜的生长结构研究 李戈扬1 张流强2许俊华1吴 亮1 李鹏兴1顾明元1 (1．上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室，2．中科院上海冶金研究所) 纳米多层膜由两种材料按一定的调制周期交替叠加形成。在许多纳米多层膜体系中，当调制 周期减小到若干纳米时，将产生物理性能或力学性能的异常变化，这种性能异常的产生不仅取决 于组成多层膜的两种材料的性质，更取决于多层膜的调制层，尤其是调制界面的微结构。 格结构，根据界面应变效应理论03和界面应力理论o]，这样结构的多层膜有利于产生硬度和模量 的异常效应。 膜。对W／Mo纳米多层膜进行的平面样品(电子束垂直于调制界面)和截面样品(电子束平行于 的多层膜制成。 随多层膜调制周期长度的改变而改变。另外，电子衍射发现W／Mo纳米多层膜由于w和Mo结 环。 t 1，从照片上量得其调制周期长度为12nm，与 面清晰，周期性好，w层与Mo层的厚度比接近1 设计值完全一致。此外还发现多层膜调制界面在宏观上有微小起伏。HREM像(图3)表明，多层 膜以柱状晶方式穿过W、Mo调制层及其界面外延生长，形成多晶超晶格结构。柱状晶的外延生 长使得W／Mo多层膜界面形成无结构变化的纯成分界面，同时也使多层膜的晶粒尺寸不明显地 随其调制周期的减小而减小。相邻柱状晶的位向差使柱状晶在生长时，由于生长速度不一致，在 生长面上产生起伏，从而造成多层膜界面宏观不平整。此外图3b的柱状晶中还可见为数不少的 刃型位错，位错既存在于多层膜的调制界面，也存在于其调制层中。考虑到W、Mo的晶格失配度 配，所以这种位错的产生主要是多层膜生长过程中的其它因素所致。 综合以上观察结果：由于w和Mo两调制层的晶体同为bee结构，且晶格常数相近，所组成 的多层膜为柱状外延生长的多晶超晶格结构。 参考文献 FandTsaklakos [1]JankowskiA T．J．Phys．F：Met．Phys．，1985·15：1279～1292． Cand [2]GammarataR 电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc 图1 W／Mo纳米多层膜平面样品的TEM暗场像 图2 W／Mo纳米多层膜截面样品的TEM像 图3 W／Mo纳米多层膜截面样品的HREM像 低倍 b．柱状晶(箭头所指处)的高倍像