NiO固体和其表面电子结构研究.pdfVIP

Vo!．23 高等学校化学学报 增刊(sup曲ement) CHEMICAL UhIVERSrl]ES 215’218 2 0 JOURNALOFC]flNESE 0 2年12月 NiO同体及其表面电子结构研究 王文峰，李俊馥，章永凡 (福州大学化学系，结构化学国家重点实验室，福州350002) ■耍使用多种DFT方法对Ni0电子结构进行了第一性原理计算，其中B3LYP和B3PW开壳层方法得到 了一个带隙为1．44eV的结果，其余方法均未得到带隙．另外，根据DOS囤分析了Ni0体相和表面中 Ni一0的轨道相互作用，表明这Ni一0间有明显的共价键存在．另外，我们根据轨道相互作用原理建议了 一个NiO的体相能带结构图． 关t词氧化镶，电子结构，态密度，体相，表面， 人 ／、 eV的绝缘体…．上个世纪先 的3d能带应当未充满。从而显示金属性．但事实上NiO是一个带隙为4．0 有一些固体物理学家在用各种方法计算NiO的带隙[3，4】，但从化学角度考虑Ni．O之间的轨道相互作用 及其成键本质的文章几乎没有．本文通过对能带结构、DOS以及轨道布居数的分析，阐明了NiO体相 及其表面的Ni．O间相互作用的轨道本质． 1计算方法 A．对Nl采用Crystal98 采用Crystal98／B3LYP从头算方法．NiO是NaCl型结构，晶胞参数为4．168 绘制而成． - 2结果与讨论 2．1 NiO体相能带结构 计算结果表明。不同的方法得到的NiO结构明显不同．用HF方法时，闭壳层计算没有带隙；开壳 层的带隙值为14．6 eV)接近．由于HF方法只考虑了 cV,这个结果与M．D．Towlef等的l-IF结果(14．2 自旋相关能而没有考虑库仑相关能，因此带隙的计算值偏大．用各种密度泛函方法计算的NiO能带， 等均没有带隙．在B3LYP方法中，我们又进行了不同自旋多重度的能带计算，结果见表1 calculation In Table1 bad resultsbasedO[t B3LYPmethod Energy various叩蛔multlpUcity 基金项目：国家自然科学基金(批准号和结构化学国家重点实验室基金(批准号：990018)资助． 联系人简介；李俊薯(1942年出生)，男，教授，博士生导师。从事固体与表面电子结构理论研究． z埔 ： 童兰兰兰丝兰兰兰 !竺 ===；；=============；==；{===========z=；======；====；———————————————一。 结果表明，a电子比口电子多两个即多重度为3的状态最稳定，是其基态；也只有这个态才得到 了符合实验结果的带隙，据现有资料，这也是首次用B3LYP方法得到的较好结果．在这个态下得到的 能带图和DOS图如下图所示： ‘ ／ ／ ／ ≥ f=≥ ≤ 爻～擘 ●二3 弋 ≤ 矽 擘—一 —／一 ———— 二孙二…二篓