背面对准Ｘ射线光刻掩模制作探究.pdfVIP

湖南·长沙 背面对准X射线光刻掩模制作研究 刘泽文，刘理天，李志坚 (清华大学微电子学研究所，北京100084) 摘要：深x射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要方法。由于大多数LIGA挎模支 撑膜的光学不透明性，很难进行需要重复对准的多次曝光。我们通过使用背面对准x射线光 刘掩模，很好地解决了这一问题。给出了该掩模制作I艺的研究结果。整个过程包括沉淀氯 化硅、uv光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等。利用KaASuss双面对准曝光 机，可获得24m的对准精度。 关键词：光刺；LIGA；MEMS；持模 1 引 言 基于深x射线光刻的LIGA技术是MEMS研究的重要方法之一。在获得高宽比结构方 面有难以替代的作用。深X射线光刻所使用的波长在0．3nm～0．5rim之间。由于该波段的 光子能量较高，有很强的穿透奉领，因而允许使用较高厚度的支撑膜(如500tma铍)或者选用 具有良好机械和理化性能的原子量较大的材料(如2“m)钛金属膜)。除了铍和钛以外，常用 的支撑膜材料还有聚酰亚胺、单晶硅、碳化硅和金刚石等。掩模图形的产生主要有两种途径： 其一是光学方法产生母版，然后再通过光学制作工作掩模，该方法适于较低分辨事情况：其二 是利用电子束方法产生母版，然后再通过软x射线光刻方法复制工作掩模，该方法适于较高 分辨率情况：目前第一种疗法能满足大多数实际需要。在LIGA研究初期，一般使用单次曝光 即可满足要求，随着研究的深人及其应用领域的不断扩大，进行能重复对准的深X一射线光刻 将具有重要意义。比如在牺牲层上制作高度比结构、多次曝光制作台阶状的复杂三微结构等 均需要进行图形对准。由于上述大多数支撑膜不是光学透明的，进行对准非常困难。我们采 一系列IC兼容工艺，包括沉淀氮化硅、电化学淀积、体硅腐蚀等，结合新型的双面对准Uv光 刻机，在2英寸硅片上制作出背面对准的硅一金x射线掩模，运用离线对准工作方式，成功地 解决了这一困难。 2掩模设计 一个X射线掩模的重要参数包括其最小的结构宽度(分辨率)、掩模对比度、掩模几何尺 寸等。这些参数的确定需要联系特定的光源、工艺条件、设计目标进行综合考虑。如果采用光 374 第十届全国电子束离子束光子柬学术年会 学方法制作掩模，在特定的厚胶工艺下，我们可以将用于估算接近式光刻工艺衍射分辨率的常 用公式…写成如下形式： W=。。@(g+f) (1) 其中Q为Fresnd数，可看作实际系统的品质因子，通常取0．5～0 7，^为波长；g为接近 距离，t为光刻胶厚度，由吸收体的高度确定。设Q=0 不难估算出利用光学方法能满足我们希望获得3／tin线宽的要求，如图l所示。 世刳睦睁旺忆m) 图l 光刘股厚!il：与埘船获得的最小线宽之问的关系 x掩模的另一个重要参数为对比度，它取决于掩模支撑膜和吸收体的材料及其厚度或高 度，同时也和特定的光源参数有关，由于同步辐射光源的宽光谱特性，通常用下试算LIGA掩 模的对比度[2] c：f～Pa一riT=竺竺 (2) 1。BT≯^ 其中淼为光源的辐射功率谱，T{是滤波窗的透射率，L和L分别是掩模支撑膜和吸收 体的透射率，它们均为波长的函数。在我们的研究中，支撑膜为单晶硅，吸收体为金；根据北京 2GeV，Wiggler磁场强度B=1 的厚度为lOttm，利用(2)式经计算可得其对比度为0．58。 事实上，对于使用PMMA光刻胶来说，一个合格的掩模应该是在曝光吸收的剂量大于 3KI／cm3的情况下，确保被掩蔽的部分所吸收的剂量尽可能小。由于不同厚度光刻胶的曝光 时间不同，被掩蔽的部分在相同的掩模下所吸收的剂量也不同，进一步的计算表明，上述掩模 列出了详细的结果。 湖南·长沙