非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究.pdfVIP

第 44卷第 3期 红外与激光工程 2015年 3月 Vo1．44NO．3 InfraredandLaserEngineering M ar．2015 非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究 秦娟娟 ，邵景珍 ，刘凤娟 ，方晓东 (中国科 学院安徽光 学精 密机械研 究所 安徽省光子器件与材料重点实验室，安徽 合肥 230031) 摘 要 ：利用KrF准分子激光器晶化非晶硅薄膜 ，研 究了不同的激光能量密度和脉冲次数对非晶硅薄 膜晶化效果的影响。利用X射线衍射(XRD)和扫描 电子显微镜 (SEM)对晶化前后的样品的物相结构和表 面形貌进行了表征和分析。实验结果表 明．在激光频率为 lHz的条件下。能量密度约为 180mJ／cm 时， 准分子激光退火处理实现 了薄膜 由非晶结构向多晶结构的转变：当大于晶化阂值 180mJ／cm2小于能量 密度230mJ／cm 时，随着激光能量密度增大，薄膜晶化效果越来越好 ；激光能量密度为230mJ／cm2时， 晶化效果最好、晶粒尺寸最大，约60nm，并且此时薄膜沿Si(111)面择优生长；脉冲次数 50次以后对晶 化 的影 响不大 关键词：准分子激光退火； 非晶硅薄膜 ； 多晶硅 ； 能量密度 ； 脉冲次数 中图分类号：TN304．1 文献标志码 ：A 文章编号：1007—2276(2015)03—0959—05 CrystallizationofamorphousSifilmsbyexcimerlaserannealing QinJua~uan，ShaoJingzhen，LiuFengjuan，FangXiaodong (AnhuiProvincialKeyLaboratoryofPhotonicDevicesandMaterials，AnhuiInstituteofOpticsandFineMechnaics，Chinese AcademyofSciences，Hefei230031，China) Abstract：Amorphoussilicon(a：Si)filmswereannealedbyKrFexcimerlasertorealizetheinfluenceof differentpowerdensity and differentpulse counts．The analysis ofa：Sihtin film microstructure and surfacemoprhologywasconductedusingX—raydiffractometer(XRD)andscanningelectronmicroscope (SEM)．Inhterangeof1Hz，theresultsshowhtatthepolycrystallinesiliconstructurehasbeenachieved from amoprhoussilicon by excimerlaserann ealing when hte energy density reachesabout180 mJ／cm2． W hen hteenergydensity isfrom theenergydensitythreshold 180mJ／cm2tohteenergydensity230mJlcm2， htecrystallizationeffectgetsbetterwiht hteincreaseofhteenergy density．Theeffectofcrystallization is bestandhtegain sizeishtebiggestwhilehteenergy density is230mJ／cm2．Themaximum averagesize of hte grain reaches 60 nm nad hte polycrystalline silicon film grows prefere