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在蓝宝石衬底上反应溅射法制备CeO：薄膜
雷跃刚王霈文李技古宏伟张华王萍
(北京有色金属研究总院超导材料研究中心北京100088)
摘要实验用金属铈做为靶材，采用射频反应磁拉溅射法在(1102)蓝宝石基片上制备C轴取向
CeO：外延薄膜。实验结果表明在低温、低溅射功率条件下Ce02薄膜呈(111)取向生长；当升高温度和
和平整的表面。
关键词反应溅射，Ce02缓冲层，蓝宝石，外延生长
Growth thinfilms011
ofepitaxialCe02
Reactive
Sapphireby sputtering
Lei
Yuegang，WangPeiwen，LiTao，GuHongwei，ZhangHua，WangPing
MaterialsResearch ResearchInsdtuteforNon—Ferrous
(Superconducting Center，General
Metals，Beijing100088，China)
AbstractThe thinfilmswere On reactive withthemetal
grown byusing magnetronsputtering
Ce02 Sapphire
Ceriumwasusedtobe sotm3e．Theresultsshowedthatthe thiafilms On atlow
grown
sputtering Ce02 sapphire
substrate and 1 thesubstratc and
sputteringpowerhave(11)orientation，increasingtemperature
tempemture
with substrate
l the
powerhave(11)orientationand(002)orientationgrowth，and hii出er
sputtering dump
and the mixed
temperaturesputteringpowerCe02films(111)orientationand(002)orientationgrowth．The
films earlbeobminedatthesubs乜ate about
Ce02 with(002)orientafion temperature680。C，sputteringpower
hasexcellento—entationandflatsurfaces．
about80W．Inaddition．the6hn
Ce02
Reactive thin
Keywords sputtering，Ce02film，Sapphke，Epitaxialgrowth
1 引言
应用于微波领域的高温超导薄膜材料最重要的参数之一是微波表面电阻融，它决定了微波电路
中的损耗。另一个重
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