溅射温度对ZnO薄膜性能影响的研究.pdfVIP

第 1期 纳 米 科 技 Vo1．12No．1 2015年 2月 Nanoscience＆ Nanotechnology February2015 溅射温度对ZnO薄膜性能影响的研究：l： 文常保，马 跃 (长安大学电子与控制工程学院微纳电子研究所，陕西 西安 710064) 摘 要：在室温200oC的范围内，对磁控溅射制备的ZnO薄膜性能进行 了研究。实验中，rXZnO 为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制 ，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。 系统真空度为3xlO ，溅射气压为5．5Pa，溅射时间90rain，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件 分析，结果表明，制备 出的ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温 200℃的范围内，随着温度的升高，(002)f5-射峰的位置趋向34．4。。 关键词：ZnO薄膜；磁控溅射；X射线衍射 ResearchontheEffectsofSputteringTemperatureonthe PropertiesofZnO ThinFilm WEN Change-bao，MA Yue (InstituteofMicro—nanoelectronics，SchoolofElectronicsandControlEngineering， Chang’anUniversity，Xi’an710064，China) Abstract：Intherangefrom room temperatureto200％，thepropertiesofZnO thinfilmssputteredby magnetronsputteringsystem werestudied．InordertocontrolthegrowthpropertiesofZnOthinfilms in theexperiment，theZnO was selected the cathode target， and the sputtering temperature of substratewascontrolledbythetemperatureregulator．Thevacuum degreeofsputteringsystem was3x lO~Pa．andthegaspressurewas5．5Pa．Thesputteringtimewas90minutes．TheZnO thinfilmswere characterizedbytheX—raydiffraction．TheanalysisresultsusingtheJade5．0softwaredemonstrated thatthe surfaceofZnO thin filmshad smooth and compactstructure，and high C-axispreferred orientation．Experimentalresultsshowdthatthe (002)diffractionpeakpositiontendedtowards34．4。 variedwiththetemperatureincreasedwithintherangerfom theroom temperatureto200~C． Keywords：magnetronsputtering；film preparation；X——raydiffraction ：TB383；0484 文献标 ：A 童绳呈； 昼 二 昼l2Q!jQ二Q =Q 收稿 日期：2014—12—23 基金项 目：国家 自然科学基金项 目，中央 高校基本科研业务费专项资金项1~(2013G3322010)