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非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究.pdf
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
51 8 2002 8 , , ,
Vol .51 No . 8 August 2002
( )
1000-3290/ 2002/ 51 08 / 1811-05 ACTA PHYSICA SINICA !2002 Chin . Phys . Soc .
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非晶 微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究*
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张世斌 廖显伯 安 龙 杨富华 孔光临 王永谦 徐艳月 陈长勇 刁宏伟
1)(中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京 100083 )
2 )(中国科学院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083 )
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
2001 11 26 2002 1 7
通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度,并保持其他的沉积参量不变,用等离子体增强化学气相沉积( )
PECVD
方法成功地制备出处于非晶 微晶相变过渡区域的硅薄膜样品 测量了样品的室温光电导和暗电导,样品的光电性
/ .
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能优越,在 · 的白光照射下,光电导和暗电导的比值达到 在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结
50mW cm 10 .
构特性,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析 结果表明,在我们的样品制备条件下,当 和 的流量比 较
. H SiH R
2 4
小时,样品表现出典型的非晶硅薄膜的结构特性;随流量比R 的增大,薄膜表现出两相结构,其中的微晶成分随氢
稀释比的增大逐渐增多;用量子尺寸效应估算了两个高氢稀释样品( )中微晶粒的平均尺寸大小为 左
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