焦斑形态控制器实验的研究.pdfVIP

骆永全王建军袁静马驰魏晓峰 中镌院t光聚变研究中心四jIl雀绋阻市9t9信糖嘲分糖■犏眈19∞ ■奠：本文介绍了焦斑形态控制器的基础理论以及进行焦斑形态控制的实验平台．在所建 立的诊斯靶场模拟实验平台上对一种焦斑形态控制器——相息位相板(KPP)进行了实验 研究，对焦斑的大小、能量利用率及能量集中度进行了计算．分析了影响实验结果的主要 因素． 关t词： 焦斑形态控制器焦斑测量 1．引言 在高功率激光打靶过程中．由于在靶面上存在中低频调制导致无法准确测量靶面的功 率分布和引起堵口效应，所以岿须使用焦斑形态控翻器改变靶面焦斑分布以克服上述缺 Pbase 点．焦斑形态控制器包括随机位相板(R蛐dom P1ate)【1】和相息位相板(Kinofo瑚Phase Plate)瑚等几种．其中KPP和1iPP用的较为广泛，但由于旰P缺乏远场光斑的整形能力 以及衍射效率比较低，其衍射效率只有80％左右．所以逐渐被l【PP所取代．KPP是一种多 台阶的，准连续分布的位相板，它就是要找一种相位分布，使对应一种给定的位相分布， 通过KPP的位相转换，可在输出面上获得想要的光场分布。这种准连续分布位相板的衍射 效率很高，还可实现远场光束的任意整形。 为了进行焦斑形态控制器实验研究，专门建立了诊断靶场模拟实验平台。实验平台 是开展靶场相关单元技术研究的场所，其总体光路排布如图1所示． J拍 3．KPP实验 利用对外台作单位制作的柳器件．进行KPP实验研究，l(PP样品共两块，两块KPP样 品都是针对基频光的-其特点为圆对称连续相位板．离子刻蚀方法制作，刻蚀单元宽度O．4 毫米．其中一块XPP的面型分布如下圈所示。 I陲 口四 田圆 图2未刻蚀表面轮廓图 图3i#后表面综合轮廓图 由图2可以看出-器件基片，印后表面的租糙度为：均方根值为O．050个波长．峰谷 值为0-324个波长·器件的刻蚀情况即透射波前如图3所示，为圆对称连续分布。 针对J【PPl：焦斑强度分布设计为陡边、平顶焦斑，小旁瓣，焦斑直径中250um。实 验结果如下： 定标：利用光栅进行CcD像素大小的标定(计算得x方向像素大小为12微米，同理 得y方向像素大小为9微米。) 圈4OCD像素大小标定 不加KPPl时的焦斑分布如图5所示： a焦斑图 b立体圈 c剖面图 圈5不加KPPl时的焦斑分布 J37 焦斑直径：252徽米。由剖面圈可以看出不加J【PP时，焦斑底部不够陡，顶部能量有 一定的起伏． 加肝Pl的焦斑分布如图6所示： ■壤-i羽 a焦斑圈 b立体圈 c剖面图 图6加肝P1时的焦斑分布 焦斑直径：288镦米，与理论值相近。能量利用率在8他左右(能量利用率的计算是 焦斑主瓣的隧量相对于整个焦斑能量，而不是相对于入射激光能量)，在322微米的范围 内能量占总能量的91％．能量集中度较高．有一定的旁瓣．顶部不够平坦。 在透镜盼自玎上聍P2后，酒得其焦斑分布如图7所示 ●螺 B焦斑圈 b立体图 c剖面图 图7加盱P2时的焦斑分布 焦斑直径：414徽米．能量利用率为8鼹左右，在486徽米的范匿内能量占总能量的 9驰．几乎没有旁羹，顶部I龃有一定起伏． 4结论： 本文对KPP器件迸幸亍了研究．对焦斑大小、能量利用率、能量囊串度进行了定量分析， 并对实验结果和理论设计值进行了比较．对焦斑的均匀性、旁瓣的大小以及顶部不均匀性， 138