静电防护、屏蔽、接地技术初探.pdfVIP

静电防护、廓蔽、接地技术韧探 藏荆梅 中田三扛航天囊l麓诗廓 擅妻；瞳藩安时控嘲技术曲发晨秘进爹；如侮翦囊地謦决恩劣寐规豢弹掌毓电●干 拭目惠，已越来越受捌人们的关注，本文从实践经验出发，对常用的硬件执瓣糗箝 麓，如静i邕=静净：。嘉壤、接蝇技术进行：j暂步每I讨．_逮警静电严整漪械囊i：跌度B海 描麓；蔫述了屏蕞的原理、分类以及屏蕞方法曲使用；暗逮了饕地的含义、接塘的分类、 基氅芽交畴选撬和使用． ‘ 艏 ．二～j。： 髓藿实时控制技术的发展和进步，如何母效坞鹦蔓；?瞒环境毒传T荽粤黪千螺趣 愿．已越来越受到人们的关注”本高从实魂爨跨国发r对豢剐q硬件抗电磁币搬I嘲‘ 如静电肪护、屏蔽、接地技术进行了栅步撂讨． 1尊电防护 1．1静电产生的原因及其危謇 } 静电d蟮耐控糕系统中经常产生的阎鼍，尊屯韵起固是两种不界物质萎相摩攘封， 正负电荷分别积聚在两种物体上，形成静电放电干扰，放电电压可高达2~30l【v，经验 证明，人体所带的静电一般为lo、，一15kv。 在电子控制设备外壳上放电是经常见到的放电现象，放电电流流过金属外壳，产生 电场和磁场，通过分布阻抗耦合到到壳内的电源线、信号线等内部走线，引起误动作。 电子控制设备的信号线或地线上也可直接放电，干扰更为严重。 现代控制系统广泛采用的CMOS芯片，是最易受静电干扰的嚣件，尽管现在应用 的大多数cM0s器件采取了一些保护措施，但由于器件本身的结构特点，cMDs嚣件 输入阻抗极高．可达1000^^o．内部撮问电容量很小，不超过lpF，当带有静电的人体 接触到cMOS器件的控制极时。人体向CMOS器件放电。由于输入阻抗极高，放电的 电荷不能泄入接地桩，注入控制极，极间电容立即被充到报高的电压，把氯化膜击穿} 期； 一一一 二蕾下丽翻蕊厂 一 藏电寰瘴焉时，董裹_运几十毒摧“零蟹j!l蛰繁些·：悬琶c9姆_完金棼姆鬼藏粤晕靼圈赡 的j．鲢姆鸭、神触，獬棒麟黪撷粥鼬艄哇嘴辅篝 低到鼍羝． ． 1．2尊毫放电豹抑捌 抻捌尊电款电于执可以从两方厦藿手：蕾兔产生静昏．．胡断尊密i氧皂电蠢自I艟．抻 · 崩干扰描冀有衄下几种： o 12l a崎强暴粹在使用中应注意防止静电，其一是锋入端弓懒爹奠谬空．．翱要■^褥 空．在■入姆容磊积累电耪，尽管曰∞s薅抟娜j哎声母护电聱jj甍皇碡搴7謦 不每指$囊，捧·薅报容器媲输^《谢啊；壮毛如w}嘞堪滓§§麓‘榭鞘曩毒万两 十场效应譬均会导通．使电路功耗大大增加．其=是设法降低输入茸峨。可黼挎卿蕞 二舷曩之间薯与搏未网接^一食露羹电阻l10矸姆≮}；媾冉赛诗褥佛造冁蓑；彝当用 q阁哮，件与鼍媾传输唪攘时，鹰通过m个．m曩净f1喜琏之蜃再舞长铸■簟●毒．r 1．2．2拜壤瀑度以维持在蛄9“5％为宜，因为薄窀曲盛蛾每曩嬲摺奢寅{秉-’彝豢纛羹