铁电存储器总剂量辐射效应初探.pdfVIP

第十居尘国抗辐射电于学rJ电磁脉冲学术年会论立集 铁电存储器总剂量辐射效应初探 牛振虹’崔帅张力刘生末剐洪艳 试验物理与计算数学实验室 北京 100076 摘要存端#怍为电，系统必十a，少的重要纽成部分，是电T景坑程存储和数据存储的主要 载悼．丰文土要W新型存储*铁电存储％fFR^M)总剂量电离辐射触庸进打T初步研究，井％目前^ 用较事的典型半导体存髓#辐射效应进行T比鞍．获樽TFRAM【匕传统半导佛存储g其有更好抗总 剂量辐射能力的结果。 *键诃存储#铁电存储器也剂量辎射效m FRAM作为一种新型存储器什，越来越受到再方面的关注，研究其辐射效应是一件极有有意义 的【作。 从使用角度来看，存储器可分为两^类断电后数据丢失的易失性存储器和断电后数据不丢失 存储器或数据装汀刚；SKAM和SDRAM属于易失性存储器，常用作缓存或数据变换暂存使用。 时具有非易失性，所阻极具广阔的应用前最。本文首先介绍FRAM的结构及应用，然后对其电离总 剂量辐射效应进行初步探索分析，并与传缆半导体存储器抗辐射能力进行比较。 1 FRAM结构及应用 选4Mb。我HJⅢ来进行辐照试验的FRAM型号为FMl8L08．容昔为256Kb。 FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，而不依赖于电荷来存储，所以具有照好的抗辐 射能力。铁电晶体的结构如蚓1所示。铁 电效应是指在铁电晶体上施加一定的电 铣电晶体中心取f 场时，晶体中心原f在电场的作用F运 的两十可能位置用 动，并达到种稳定状态；当电场从晶体 束保存。l”和‘O 移走后，中心原子会保持在原来的位置。 这是由丁晶体的中问层是一个高能阶，中 心原子在没有获得外部能量时不能越过 圈】铣电存储器的晶体结构 冀鬻；，嚣‰黼糍骡尝茹凇；鼍；雾碧黑翟嚣鬈嚣繇9 01 0 铁电存储器总剂量辐射效应初探 高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。 由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容 不会受N#I-界条件(诸如磁场因素)的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的 存储特性。 写读周期长的缺点，且降低了读写功耗。 图2FRAM与MCU／FPGA的连接 表1 FLASH和FRAM存储器性能比较 2辐照试验 辐照试验示意图如图3所示。测试方法为：采用扁 平排线使FMl8L16与控制板连接，辐照时FMl8L16 置于辐照场中，母板置于辐照场外，使母板不会受到辐 照。分别进行了动态和静态试验。 辐照前在存储器单元中写好数据，写入数据均为 “x55”，辐照时存储器单元数据由控制板读出，读出数 据由PC终端接收并显示，并统计读出数据错误数，铁 电存储器正常工作时的数据接收界面如图4所示。试验 中监测了系统功耗电流变化。 图3辐照试验测试示意图 第十届争国抗辐射电子学目电碰脉冲学术年会论立集 f作状态，随时监测其数据及电流变化； 试验辐照剂量率为0．5Gy(Si)^，动态辐照时系统处r 静态辐照时．专辐{!(c刮一定剂量时加电，榆测数据及电流，若JI常．继续断电进行辐照。当辐照到 器件数据开始出错时结柬辐照。 3试验结果 动态辐J!{{时．FMl8LI6功耗电流随辐照剂量增加而增大，增人剑一定程度时，数据开始发牛错 误。辐照前FMl8L16功耗电流约为4-5mA，辐照后受照样品典型电流变化曲线如图5所示。 从图5可以看出当辐照剂量达15X102G“s