烧结温度对氧化锌压敏瓷显微组织和电性能的影响.pdfVIP

第30卷 第 6期 河 南 科 技 大 学 学 报 ：自然 科 学 版 Vo1．30 No．6 2009年 l2月 JournalofHenanUniversityofScienceandTechnology：NaturalScience Dee． 2009 文章编号：1672—6871I2009)O6—0008一O4 烧结温度对氧化锌压敏瓷显微组织和电性能的影响 徐 东 ，程晓农 ，赵国平 ，徐红星 ，施利毅 (1．江苏大学 材料科学与工程学院，江苏 镇江 212013；2．上海大学 纳米科学与技术研究 中心 ，上海 200444) 摘要 ：采用不 同的烧结温度(900～13o0℃)制备氧化锌压敏瓷，通过扫描 电镜和X射线衍射对其显微组织和 相成分进行 了分析 ，探讨了烧结温度对氧化锌压敏瓷 电性能和显微组织的影响机理 。烧结温度越高，Bi：O 挥发越严重 ，氧化锌压敏瓷的晶粒尺寸越大，电位梯度越低 。研究结果表明，当烧结温度为 1IO0~C时，压敏瓷 具有较为理想的综合 电性能，其电位梯度为 332V／mm，非线性系数为3O，漏电流为0．1 A。 关键词 ：压敏电阻；氧化锌 ；烧结温度 ；电性能；显微组织 中图分类号：TQ174．6 文献标识码 ：A 0 前言 ZnO压敏瓷是在 ZnO主基料中，添加 Bi：O，，Sb：O，，CoO，，MnO：和 CrO，等氧化物改性的多功能 新型陶瓷材料 ，经混合、成型、烧结等传统电子陶瓷工艺制备的精细电子陶瓷。由于氧化锌压敏瓷具有 很高的非线性系数 ，响应时间快 ，漏电流小 ，通流容量大和卓越的浪涌吸收能力 ，因此被广泛用于电路的 浪诵吸收装置和电源系统 ，保护过电压浪涌 。 烧结是 ZnO压敏陶瓷制备中极为关键的一步工艺。烧结工艺有众多影响因素 ，如结温度 、升温速 率、保温时间、冷却方式、烧结方式等，它们将直接影响ZnO压敏瓷微观结构，包括 晶粒大小、晶粒的均 匀程度、晶界结构等，进而影响其压敏电压 、非线性系数 、抗冲击 、抗老化等电学性能 。文献 [3]报 道了烧结温度对 TiO 压敏陶瓷的影响 ；文献 [4]研究 了l240～1300~C烧结 ZnO压敏瓷的性能。本文 研究了烧结温度 (900—1300~C)对ZnO．Bi：O，压敏瓷 的电性能和显微组织的影响，为深入分析压敏瓷 的成瓷机理和制备高性能氧化锌压敏瓷提供试验依据。 1 试验方法 氧化锌压敏瓷各组分均选用分析纯化学试剂 ，其摩尔配比为 96．5％ZnO+0．7％Bi：O，+ 1．0％ Sb：O3+0．8％CoO3+0．5％MnO2+0．5％CrO3。采用氧化锆球 、聚乙烯罐 ，在球磨机 中湿磨 5h，转速 500r／min，球：粉：无水乙醇的质量比为 20：1：4，浆料过250目筛后在 70℃烘24h成干粉。烘干添加质 量分数为2％的PVA，过 100目筛后 ，在半 自动压样机压制成 12mm ×2．0mm 生坯。样品以5℃／min 速度分别升温至烧结温度 900oC，1000℃，I100℃，1200oc，1300℃ (试样分别标记为 FA1，FA2，FA3， FA4，FA5)，空气气氛中保温2h，随炉冷却。样品的两面印刷 电极银浆 ，600oC 10min烧成。用压敏电阻 直流参数仪 (CJ1001，常州创捷防雷电子有限公司)测量样品在 1．0mA，0．1mA下的电压， 作为压 敏电压，非线性系数 Ot在0．1～1mA之间为 =1／lg(V。 ／V。…)。在0．75V。下测得漏电流 ，，漏 电 流密度-，由公式J=IL／S来计算， 是待测样 品的端电极面积。压敏瓷 的相结构分析是在 日本理学 RigakuD／max2200X射线衍射仪上进行的，采用扫描电镜 (SEM，FEIQUANTA400)观察压敏瓷的显微 组织 圳 。 2 结果与讨论 图 1为不同温度烧结后压敏瓷的XRD图。可以看出，烧结温度对氧化锌压敏瓷的相变基本没有影 基金项 目：上海市科委技术创新人才团队建设专项项 目(06DZ05902) 作者简介：徐 东(1973一)，男，河南新蔡人 ，助理研 究员 ，博士． 收稿 日期 ：2009—10—28 第 6期