大面积φ50mm探测器研制.pdfVIP

第lo届垒直接电子学与棱探潮技术学术年会论文集 O葡蛔舶∞OftItudeer Electronics№d蚶Detection Proceedlnp啊廿胥10啪Hetloned Techndogy 大面积声50mm探测器研制 宋靛才 (ee宦工程物理研究院电子工程研究所．绵阳919信箱621900) 一奠，囊进了大面飘瑚辐射撵稿嚣的设计方法和螬柑特点．膏连了研■工艺，持出了謦杏参置和霸毒 奎簸■斌螬皋． ‘ 关■谓，，：面积I删探蒉嚣·夏t皮I嗜电蠢 。引富 粒子搽测技术是随着棱曲理和基本粒子镛理的发展以爰原子船的日益广泛应用而发晨 的．半导体明N壅探测嚣是棱辐射环境测试中重要器件．随着各个方面测试技术的需要，以及 新技木、新器件，新材_料和新工艺的不断发曩，对电子嗣量仅嚣及择嚣嚣提出了更毫的要求．希 螂制曼t度更膏的PIN墨撵测罄用予霸试．为此，研制了高臣硅大面积探测器。其灵t直径 ●50ram，诫探测器具有结构简单、灵t面积大、膏电疵小、灵般度高、线性好、使用方便辱特点． 适用于铡试快瞬同、裔强度的T、n、X脉冲辐射的强度和能谱．也可用于脉冲辐射场溯试诊断 技术镬域． 1探测器研倒技术 I．1橱料的选取 在研稿PIN塑●50mm探澍器时t选取高阻硅单晶材料报重要．首先要求所用材料有很膏 的电阻事，才能保证加上较高的电压时．也黯有较慑的膏电流I其次操涮器材辩的步子寿翕必 须足够长，以便步致载流子能到达电报而不被复合，这就要求所用材辩有较高的羹瘴子迁移率 和较长的少子寿命．桓据PN鳍夏敏甚犀赛公式． ．d--[扳瓶Ⅳ+n)]’ ． 我们遗用材辩参数是。导电类疆N基，晶 向(1lD，电阻事》3700～50∞0·cin．载蠢子 寿命≥1000呻的#料．进行灵敏层厚度0．‘～ 0．6mm的撵测嚣研制． · 1．2结构设计 大面积辐射探测器结构设计得合理与否， 、直接髟晌到探滔器的技术指标．面积小的探测 嚣壳体一般都采用金属材料，探测嚣面积增大 田1大面积萍蕾撵■嚣培柑示童田 l；c后，仍然采用盒屠豺料作为壳体，,kM撵WUJgJI簟性麓盈膏电瘴等带来不利髟崎．周此，露 昭 一一÷r≯—一一——蘸翎赢玉≥二≯＆．．x越澍 们采用丁有机绝缘材辩壳体。一方面这种材料表面不被t化。保证了电摄按焦的可摹性t另一 方面，还可以藏小辣捌嚣园竞体gl葱的分布电窖及■出弓l誊连接的牢匿性．这种摄奠鼍结构如 圈1所示．它具有结构整体强、简单可靠、绝纛性能和密封性能好、后靖羹光严密、耐膏压、高 ’ 置。易漉洗，量封装辱优点． 1．3研—工艺 大面积探测嚣研●I工艺是一璜细致复杂的工作．需要考虑的因素报多．特尉是工艺中人为 的因素．道过我们对各道工艺的实验摸索．建立了一套比较完善的大面积探科器工艺线． ，50mm探潮器所用的高阻硅单晶棒．经过材料选取、滚圆、切片、倒圈、粗细磨、擦拭、清 洗、腐蚀等加工工序，使基片表面形成光洁明亮、无螂痕辞癍瘠．在硅片两面用离子注入方法分 别■作P+盈N+层，经过高纯的冷、热去离子承超声精洗、烘干，进千亍真空中退火处理．蒲洗处 理好衰面后．封装在设计好的营壳内，蒸饺电枉后进行韧耐．其棚作工艺流程如图2所示．