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大面积硅PIN探测器的研制 j’宝俊张录张太平袁坚+田大宇张维马连荣 (北京人学微电子所10087I) (十中国原子能研究院102413) 蔫要：本文主要介绍了采Hj“离子注入”和低温热处理等r艺研制高性能大面积PIN器件技术以 及探测器的主要电学特性。高阻N型硅片上有源区面积为l。×JOmm2和16×17mm。的两种二二极管实验 达到≤5nA的性能指标，端电容分别为一50pF和≤120pF。器件的电学性能良好，在鼍能器等应用 系统中是一种理想的光探测器元件。 关●悯：PINLL极管，暗电流．探测器 1前言 光电探测器是通过电子过程探测光信号的半导体器件。光电探测器的种类很多，目前研究的兴 趣和重点是朝着人面积、低偏压、深耗尽层、宽响应波长和商量子效率的方向发展。其中硅一：极管 囡制作I=艺简单、有良女r的温度。性能、低工作电压、对磁场不敏感和有良好的光谱响应等特点，成 为开发研制的重要目标。 这是欧洲正在建殴中的A1icePhos量能器。。1中所急需的关键部件之一。本文简要介绍了高性能大面 积PIN探测器的制作技术以及器件的主要电学特性。探测二极管的灵敏度和分辩率是探测器的重要 性能指标．它主要受二极管的面积，耗尽层宽度和暗电流大小的影响。二极管常在反向偏压条件F r作。高阻硅单晶材料成为制作二极管的首选材料，因为在较低的偏置电压下可以达到全耗尽，在 全耗尽运用时其端点电弈小，从而减小串联电阻并减小载流于的渡越时间，有利于提高探测器的响 应速度。但高阻材料极容易引入污染，特别是大面积探测器。采剧合理的工艺方案和严格工艺控制 以减小暗电流便成为研制高质量探测器的关键。本实验采用“离子注入”和低温热处理11等fi艺在 ℃时在全耗尽偏苴电压卜(Vd=70V)的暗电流分别达到1．31nA和2．96nA， 端电容分别为≤50pF和 ≤120pF． 2器件设计和制作工艺 图l给出二极管的横截面示意图。为了消除或减小PN结边缘电场集中对器件的影响，本研究 中器州：有源区殴计为四个角为园型的长方图形或正方图形。 主要1．艺步骤列出如F： 1)清洗n掣芯片，氧化生成厚度约7000埃氧化层； 2)光刻有源医窗口，留卜700埃的氧化层作为表面注入保护层： 3)硼离子注入，退火形成PN结； 4)去片子背面si0：，注磷，退火形成欧姆接触 5)刻孔，溅时铝，低漏台金形成电极。 A1 n+ n 例1 PIN_二板管的横截面示意图 5—12 实验中采刚电阻率为4 Kn—cm(111)n一型硅片，芯片厚度30011M。优质的高阻硅片， 原始材料的少数载流于寿命}之，少子寿命是晶体材料完整一陛和杂质程度的重要表征，长寿命的芯片 作成PN结后，如果能保持或增加少子的寿命制作出的器件可望有很低的暗电流，暗电流和少子寿 命成反比关系。妍究中尽量减少：L艺步骤并严格控制工艺操作以便减少污染。引入的污染源主要有 情洗液．器具，氧化气体平|l管道，离子注入平L|退火丁一艺，光刻以及金属化电极的制备等工艺。从器 竹】v特性的测姑鲒果分析，本实验样品的少子寿命约5ms左右，表明工艺过程中没有引起少子寿 命的严重退化，这是目前摸索出的一套成功的技术方案。 用离子注入方法并采I【{j瞬态退火形成浅结，关键是控制B注入时的能量、注八层表面氧化层的 厚度以及后序的热退火l。艺。浅结减少了“死层”厚度。“死层”是一个重损伤层，少子寿命根低， 所以探测器的PN结应当尽可能地浅，毗利于提高探测器的短波探测灵敏度。但是浅结使表面漏电 问题相对突出。考虑到器什成品率和可靠性等因素，需要在两者2间折衷。现工艺的结深控制在O．5 urfl左廿。形成结前后的堪火J二艺是制作平坦突变结的关键，对丁器件的性能参数有重要影响。 3洲试和讨论 P】K光电二极管可以利刖调节它的耗尽层厚度(i层)米获得最佳的量子效率干¨频率响意。所 以使用中通常加反向偏置l毡压。在反向偏压F，在完全无光照的情况下，二极管仍有小的电流流过， 通常称之为暗电流或渊电流。我们用I—V，c—V特性来表征二极管的电学性能．因为反向偏压F的 漏电流及电容值的大小直接芙系