Si_SiN_x_SiO_2多层膜的光致发光.pdfVIP

第 29卷 　第 2 期 发 　光 　学 　报 Vol29 No2 2008年 4 月 CH IN ESE JOURNAL OF LUM IN ESCEN CE Ap r. , 2008 文章编号 : (2008) S i/ S iN / S iO 多层膜的光致发光 x 2 1 1 1 1 1 陈青云 , 段满益 , 周海平 , 董成军 , 魏 　屹 1 1 1 1, 2 纪红萱 , 黄劲松 , 陈卫东 , 徐 　明 ( 1. 四川师范大学物理与电子工程学院 固体物理研究所低维结构物理实验室 , 四川 成都 　6 10068; 2. 重庆邮电大学 光电工程学院 , 重庆 　400065) 摘要 : 采用射频磁控溅射法 ,制备了具有强光致可见发光的纳米 Si/ SiNx / SiO2 多层膜 ,利用傅立叶红外吸收 ( ) ( ) ( ) FTIR 谱 ,光致发光 PL 谱对其进行了研究。用 260 nm 光激发得到的 PL谱中观察到高强度的 392 nm 3. 2 eV 和 ( ) - - 670 nm 1. 9 eV 光致发光峰 ,分析认为它们分别来自于缺陷态 ≡Si 到价带顶和从导带底到缺陷态 ≡Si 的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光 。PL 谱中只有 370 nm ( 3. 4 eV ) 处发光峰的峰位会受退火温度 的影响 ,结合 FTIR 谱认为 370 nm 发光与低价氧化物 —SiOx ( x 2. 0) 结合体有密不可分的关系 。当 SiO2 层 的厚度增大时 ,发光强度有所增强 , 800 ℃退火后出现最强发光 ,认为具有较大 SiO2 层厚度的 Si/ SiNx / SiO2 结 ( ) 构多层膜更有利于退火后形成 Si—N 网络 ,能够得到更高效的光致发光 。用量子限制 发光中心 QCLC 模型 ( ) 解释了可能的发光机制 ,并建立了发光的能隙态 EGS 模型 。 关 　键 　词 : Si/ SiNx / SiO2 多层膜 ; 红外吸收 ; 光致发光 中图分类号 : O482. 31　　　PACC : 3250F; 7855　　　文献标识码 : A 厚度能够通过改变沉积时间来很好地控制 ,且制 1　引　　言 备成本低 、方法简单易行 。与大多数单一的研究 自多孔硅室温下可见光致发光发现以来 [ 1 ]