δ搀杂GaAsAlAs多量子阱中铍受主远红外吸收研究.pdfVIP

中国科学 G 辑: 物理学 力学 天文学 2007 年 第37 卷 第1 期: 60~65 《中国科学》杂志社 SCIENCE IN CHINA PRESS d -搀杂GaAs/AlAs 多量子阱中铍受 主远红外吸收研究 郑卫民①②* M. P. HALSALL② P. HARRISON③ M. J. STEER④ (① 山东大学威海分校应用物理系, 威海264209; ② School of Physics and Astronomy, the University of Manchester, Manchester M60 1QD, U. K.; ③ School of Electronic and Electrical Engineering, University of Leeds, LS2 9JT, U. K.; ④EPSRC III-V Semiconductor Central Facil- ity, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, S1 3JD, U. K.) 摘要 报道了在GaAs 中均匀搀杂和一系列GaAs/AlAs 多量子阱中-搀杂浅受 主杂质铍(Be)原子带内跃迁的远红外吸收研究. 在 4.2 K 温度下实验测量的远红 外吸收谱中清楚地观察到了三条主要的浅受主带内跃迁吸收线, 它们分别来源于 铍受主基态到它的三个奇宇称激发态的跃迁. 应用变分原理, 我们计算了量子限 制铍受主2p 激发态到1s 基态跃迁能量随量子阱宽度的变化关系. 通过比较发现, 2p →1s 跃迁能量理论计算符合类-D 吸收线的实验结果. z 关键词 浅受主杂质 d-搀杂 GaAs/AlAs 多量子阱 远红外吸收 当前, 人们对量子限制浅杂质原子带间跃迁的研究一直受到重视, 这是由于它所展示的 物理现象和在光电子领域方面具有广泛的应用前景, 譬如: 远红外探测器、Teraherz 固体激光 [1~4] 器、超快单电子器件等 . 把杂质原子(施主或受主)搀杂到 GaAs/Al Ga As 量子阱中, 通过 x 1x 量子限制效应可以人为地操纵杂质的能级的结构, 其中包括调节能级间隔和能级的排序, 例 如: 可使杂质的 2p 态位于 2s 之下, 成为最低的激发态. 对量子阱中搀杂杂质的选取, 从原理 上讲施主、受主都可以, 但在实际器件应用中, 具有较大束缚能的受主成为最有吸引力的候选 者. 它的能级间跃迁能量相对于施主, 有一个宽的调节范围, 可以调节到小于 LO 声子能量 (longitudinal optical phonon), 这样就能显著地减少非辐射损失. 在 GaAs 中, 金属铍(Be)是光电子器件中常用的搀杂受主, 因为它不仅在扩散方面具有相 [5] 对的稳定性, 而且更为重要的是在体材料中具有 28 meV 的束缚能量 . 限