超声雾化法制备的Er掺杂SnO2薄膜发光性质地研究.pdfVIP

201 1年全国硅基光电子材料及器件研讨会 超声雾化法制备的Er掺杂SnO：薄膜发光性质的研究 闫艳花刘海旭孟凡杰侯琼琼王肖珩孙甲明 (南开大学物理科学学院天津市南开区卫津路94号天津300071) 在红外区反射并具有优异的导电性和较好的化学稳定性，被广泛的应用于透明导电玻璃、 太阳能电池、气敏传感器、液晶显示器等领域。最近几年，Sn02基气敏薄膜、稀磁半导体 薄膜等方面的研究受到广泛关注，对其发光特性的研究主要集中在其带边和缺陷发光方 面。【l】稀土Er的掺杂发光波长位于1．541Ⅱn．在光纤通讯和光互联方面有很大的应用前景。t2,3] 本文用超声雾化法制备了Er掺杂的SnO，薄膜，系统研究了制备条件对于薄膜的光学和电 学特性的影响，并获得了位于1．541am的红外发光。 Sn02：Er的薄膜制备采用自己设计的超声雾化器，衬底为(100)方向的11和P型硅片。 0．1．4．0％，衬底温度为400．5000C，流量为300．400L／h．薄膜沉积时间为0．5．1小时。沉 积后的SnO，：Er薄膜在马弗炉中进行高温退火，退火温度为500．10000C。用四探针电阻 仪测量了薄膜的电阻率，光致发光谱的测量采用OMNI．X500荧光光谱仪，探测器为 HamamatsuInGaAs探测器和H7732．10光电倍增管。 一且g uu磊曩∞o名 SnCl4concentration(mol／L) 图1．Sn02：Er薄膜电阻随前驱液浓度的变化 图1为未经高温退火的Sn02：Er薄膜的方块电阻随前驱液中SnCl4浓度的变化曲线。 从图中口J+以看到，薄膜的方块电阻随着前驱液浓度的增加而减少。其原因为：随着SnCl。溶 液的浓度升高，薄膜的沉积速率增大，薄膜厚度增加，因而其方块电阻减小。但是当Snch 溶液的浓度超过0．3mol／L时，一部分反应物颗粒来不及气化反应就被吸附在薄膜的表面， 导致样品薄膜表面粗糙度增加，其光学透过率下降。通过调整温度场和气流场达到平衡条 件，我们在衬底温度为450。C，前驱液浓度为0．3mol／L．载气流量为400L／h的条件下，制备 出了表面均匀透明l约Sn02：Er薄膜。 29 201 1年全国硅基光电子材料及器件研讨会 一∞=c=．cI．I母一》=仿co_c一 Wavelength(nm) 图2不同E r3+掺杂量的Sn02薄膜的光致发光谱 图2为室温下不同掺Er3+浓度的SnO，薄膜在266nm半导体激光器激发下的光致发光光 谱，其发光来自SnO，基质的带间电子和空穴复合向Er3+离子的能量传递。四个主要发光峰 位于1520—1570nm波长范围内，来自Er3+的4I啪_4Il5，2在Sn02金红石结构有心场中的分裂 跃迁。随着Er离子掺杂量的增加，发光逐渐增强，当掺Erge度达到2．0m01％时，发光强度 达到最大，继续增加浓度，发光强度将会降低。这是由于Sn原子与Er原子的电负性与原子 半径不同，SnO，掺杂有一定的固溶率，当掺杂量超过这个浓度时，多余的Er将分布在粒 子的表面，而SnO，带隙的能量只转移到晶格中取代Sn离子的Er3’离子，因此掺杂浓度超过 一定比率时，Er3+离子发光强度反而降低。 总之，我们用超声雾化法制备TEr离子掺杂的SnO，薄膜，系统地研究了前驱体溶液 浓度、稀土掺杂剂浓度以及制备条件对薄膜光学和电学特性的影响，获得了表面均匀透明 的SnO，：Er红外发光薄膜，为进一步研究Er掺杂的SnO，电致发光器件奠定了基础。 ，教育部新世纪人才项目(NCET．07．0459)的支持，在此表示谢意。 参考文献 for