C轴取向WO-%2c3-(V)纳米晶薄膜的PLD沉积和相关问题研究.pdfVIP

{I；l}#} C轴取向W0300纳米晶薄膜的PLD沉积及相关问题研究’ 方国家1．2，刘祖黎3，姚凯伦3李德杰1 (1-清华大学电子工程系．北京100084；2．襄樊学院物理系，湖北襄樊441053 3．华中科技大学物理系．潮北武汉430074) 摘蔓；利用V：0，掺杂的w0；为靶材，采用脉冲 寸可达4cm×4Gqlll2。最后，将部分沉积在村底上的 准分子激光太面积扫描沉积技术(PLD)，在非晶玻w岛(v)薄膜在大气环境下进行21l的退火a所得薄 璃村底蕊硅单^上沉积了wol薄膜．刺用x．射绒衍膜的厚度采用椭圆确振光测试仪及台阶仪进行潮 射CXRD)、喇曼光礴(Rs等分析手段，研完了vA 量·本实验所使用的}荸品薄驶厚度为400．,．600sin． 掺杂的WO，靶材厦不同紊件下沉积样品的姑构特 将沉积在硅片上的薄膜用于光谱分析，沉积在玻璃 挂，实验蛄果表明：氧分压和沉积温度是捷定薄膜蛄 上的薄膜用于XRD．电学及气敏性能测试。 构和成静●々主要套敷．在拓积量度4∞c厦20Ps_氟 分压下得到了C轴取向生长的三井相蚋米晶WO|(、,3 3沉积与退火工艺参数研究 薄膜．蕾丈还研宽T啪删脏●々董阻特性、使安 3．t氧压 特性和气幸t性能．实l}发现激光芘表(PLD)WOjfV) 薄膜具有较好的残性傀安特性，对N仉气体具有一 研究表明．氧压主要在两个方面影响沉积结果： 定的气教灵敏度． 一是薄膜的吸氧量．与薄膜结构相联系；二是到达 笑t调：脉冲堆分子激光溉积e七嘞jW03fV)薄膜；基片表面粒子的动能与薄膜生长过程相联系。实验 纳米^{c轴取向‘性能研究、 衰明，当基片与靶面之闻距离为3．-4．5cm时．氧压 取为15—20Pa，所沉积的WO，薄膜透光性能较好；氧 1引言 压越大．WO,薄膜的绝缘性能和透光性能越好，但 激光等离子体羽梓变小-沉积速率碱小·无氧时所 WO，薄膜在光学电致变色夏巧亩、信息显示罂、 沉积的wo；薄膜为黑色，不透明t其导电性接近于 低压压敏嚣、气敏传感器、航天器的抗反射涂层及 金属·氯压为10eaI；I下时．所沉积的WOx薄膜为 红外发射调节等领域【‘增着广闩的应用前景a由磁 蓝色，半透明．其导电性同半导体a 控溅射I‘日，热燕镀讯．脉冲准分子澉光沉积∞∞)”． 3．2基片温度 化学气相沉积(c、巾)”以及镕胶一凝胶cs01如O”q基片温度是决定基片表面吸附粒子的澈括、迁 等方法制备的薄膜可为非晶态、可为多晶或取向膜． 移、成核的最关键因素一也是决定薄膜成相的主要 它们的取向生长依赣于有关实验参敢·本实验利用 因素之一．实验表明，常温下沉积的薄膜与村鹰的 V：,Os掺杂的wo|为靶材，采用脉冲准分子激光丈面结台不牢固。容易脱落；但如果沉积温度太高，薄 积扫描沉积技术，在非晶玻璃衬底上沉积了WOx薄 膜中晶粒长蒋过太．舍降低其电致变色响应和恢复 腰．井在不同的条件(温度)下对薄膜进行快遣热 速度．本实验室条件下得到的外延沉积薄膜所需基片 退火处理。用ⅪtDRaman光ilt(RS)等分析手段研 温度的范围为100-．400℃· 究了不同退火温度处理薄膜的结构特性、电学及气 敛性能． 4薄膜的结构分析 2 WO，薄膜的激光沉积 薄麒的结构由x射线衍射OmO)(O／MAX-rB