非金属材料专业毕业设计（论文）外文翻译-坩埚的纯度和界面特征对多晶硅锭质量的影响.docVIP

外 文 资 料 译 文 坩埚的纯度和界面特征对多晶硅锭质量的影响 摘要 在硅的熔融和结晶过程中来自坩埚或涂层并扩散进入硅中的杂质能通过减少少数载流子寿命来降低硅的质量。本研究就是要测试由石英坩埚和涂层所用氮化硅的纯度如何影响少子寿命。同时对有高纯硅涂层的坩埚进行测试来研究如果这个涂层作为一个抑制杂质从坩埚扩散到熔融或固体硅中的扩散屏障所发挥的作用。结果发现，减少氮化硅中的杂质含量对提高少数载流子寿命是重要的。用高纯氮化硅涂层后的高纯石英坩埚铸出的硅锭的少子寿命的测量值为95μm。与参考坩埚对比有二氧化硅涂层的坩埚显示了少子寿命有较小的提高，虽然这样的少子寿命远远低于高纯度坩埚的少子寿命。经过实验后的二氧化硅涂层研究显示涂层厚度不够。在高纯坩埚中表现出不同的热学性能导致的造成的熔炼时间短。 关键词：凝固结晶，坩埚，氮化硅 1简介 在工业专用炉的石英坩埚中高纯度硅通过熔融和凝固得到多晶硅锭。多晶硅锭的纯度被称为是一个重要参数，因此影响着硅锭的品质和晶圆产量。因此，要防止在熔融和结晶过程中硅锭不受污染是至关重要的。污染的可能来源是大气和坩埚接触界面。氮化硅涂层喷涂在坩埚壁上，以防止硅与二氧化硅反应而引起裂纹，同时可以抑制氧和其他杂质扩散进入硅熔体中。目前的研究是通过检测少子寿命来试图确定容积、坩埚表面纯度和氮化硅涂层对铸锭的质量，成分的影响。 2实验 2.1凝固实验 凝固实验在结晶DS250炉中进行，它是一种定向凝固的多晶硅铸锭炉。在三种不同的坩埚内喷涂有100-150μm厚的氮化硅层，它已提前用含氢氟酸和盐酸的溶液清洗来减少其中的杂质含量。喷涂后，坩埚涂层的烧结要被加热到1100℃1）。硼作为p型掺杂材料加入，其平均电阻率为1.2Ω㎝ 图1：定向凝固炉示意图 1：感应线圈 2：坩埚 3：绝缘碳纤维 4：水冷铜板 5：石墨支持环和支撑板 6：感受器/基板 表1：在标准级石英坩埚（参考），高纯度级坩埚，高纯度二氧化硅涂层[ppm wt]中的杂质浓度（所有数据由维苏威提供）。 2.2试样制备和表征 凝固铸成的硅锭是一个直径250mm和100mm的高的圆柱体。试样是从如图2所示挑选出的硅锭。QSSPC和FT-IR测试的样品要被粉碎至1200粒度，而μ- PCD的样品粉碎至80粒度。每个凝固实验材料的特点是纵向（从锭底部到顶部）和水平（从锭一边到中心）两个方向的测试，以确定两个方向上都能检测到性能，如图2： 图2：挑选的试样的检测分析显示在灰色区域。1：电阻率测量（四点探针法）和氧测量（FT-IR傅立叶变换红外光谱仪）的试样。2：少子寿命测量（μ-PCD微波光电导衰减仪）的试样。3：少子寿命测量（QSSPC准稳态光电导方法）的试样。 采用四点探针技术来确定硅锭的电阻率剖面。此剖面提供了如何提高凝固的迹象同时依据ASTM标准F 723-99可能被用于计算硼的剖面。氧浓度的测定是按照ASTM标准F 1188-93A条使用FT-IR，其中只有间隙氧能确定。少数载流子寿命的测定是使用两种不同的技术准稳态光电导仪（QSSPC）和光导微波衰减仪（μ- PCD）来检测。QSSPC测量样品上进行一个使用1000nm的辐射15mm的厚度。用μ-PCD测量的试样要用酸溶液进行化学抛光，这样的溶液包括氢氟酸，硝酸和醋酸，其后用过氧化氢溶液清洗和硫酸溶液清洗试样。最后试样使用PECVD技术用双层非晶硅和氮化硅经行进一步的表面钝化。 　　 3结果 3.1氮化硅分析 　　涂层中使用的氮化硅中的杂质含量要进行检测，以确定清洗过程的效率，为探讨在凝固实验中来自涂层可能的杂质污染（见表2）。这些分析采用辉光放电质谱仪（CDMS）得出。 同样检测氮化硅中的氧浓度是值得的，特别是在空气气氛下氮化硅加热到1100℃时（同样的温度梯度用在涂层的烧成）检测到氮化硅中氧的增加。Leco被用于这些测试（见表3）。 表2：来自生产者（标准型）和酸[ppm wt]净化后的氮化硅中杂质浓度 表3：分别来自氮化硅，经过酸净化氮化硅，经过酸净化再加热至1100℃的氮化硅[wt％SiO2浓度。假设现有的所有氧来自SiO2。 3.2电阻率的测量 　　由于在凝固过程中硼分离的结果硅锭中垂直向方向上的电阻减小。在硅锭中部高度位置从侧面向中心测的的电阻率大约是1.2Ω㎝Scheil方程用分凝系数为0.8的硼也能在硅锭中位置的得出电阻，同时假设硼的浓度和电阻率之间在时间上的关系有 在Scheil方程中通过用浓度代替电阻率的关系，得出以下 电阻率的计算值与测得值很符合，我们假设R0=1.6Ωcm。 图3：电阻率与锭高度的关系曲线（测量和计算） 图4：电阻率与锭宽度的关系曲线 3.3氧的测量 　　众多周知在多晶硅定向凝固生长过程中从锭的底部到顶部的氧浓度是逐渐减少的。从参考的坩埚和用硅涂