脉冲激光沉积制备的HfO2电学性能和其漏电流机制研究.pdfVIP

32 助 锨 材 料 脉冲激光沉积制备的Hf02电学性能及其漏电流机制研究’ 朱建华，王 毅，叶 葱，叶 芸，王 浩 (湖北大学物理学与电子技术学院，湖北武汉430062) 摘要： 利用室温、原位200℃下脉冲激光沉积结合 后快速退火的方法在P型Si衬底上制备了HfO：薄膜容，研究了后热处理及原位加温对Hf02介电特性和 及Hf02栅介质MOS电容，研究了后热处理及原位加漏电流的影响，并通过卜E电学特性测试对HfOz栅 温对Hf02介电特性和漏电流的影响，并通过，E电介质的漏电流传导机制进行了深入地研究。 学特性测试对HfO。栅介质的漏电流传导机制进行了 2 实 验 深入地研究。分析表明，制备态和原位加温的样品表 现出相似的漏电流传导机制：栅极注入情况下漏电流 HfO。栅介质薄膜的制备采用脉冲激光沉积系统． 主要由Schottky发射和Poole-Frenkel发射共同组 真空系统为沈阳科仪PLD-IV型真空系统，准分子激光 成，以Sehottky笈射为主l在村底注入情况下Hf02栅 器为德国Lambda 201型KrF激 PhysikCompexpro 卯质的漏电流为Schottky发射。而氮气氛快速退火 的样品无论是栅极注入还是衬底注入Hf02栅介质的13fl·cm。经标准半导体清洗工序清洗后，用1％稀 漏电流传导机制主要是Schottky发射。氮气氛退火 释的HF溶液迅速漂洗以去除表层的氧化层，最后用 有效减少Hf02栅介质体内的捕获电荷，提高Hf0：栅 去离子水充分冲洗氮气吹干，立即放入真空室。采用 介质的介电性能，降低漏电流。 氧化铪陶瓷靶纯度为99．99％，脉冲激光沉积系统的 关键词： 脉冲激光沉积；HfO。薄膜；漏电流传导机制 本底真空优于3×10～Pa，沉积时通人纯度为99．99％ 中图分类号：TM215．3；TB303；TN305．5 的氧气，控制沉积真空为2×10．1Pa．衬底温度为室 文献标识码：A 温／200℃。沉积过程中靶和基片均做自转，其转速均 文章编号：1001-9731(2009)增刊一0032-03 1 引 言 (激光能量密度约为2J／eraz)。后热处理样品用快速 日益增长的信息技术对更高集成度(大容量)、高 电容器件的制作采用磁控溅射制作Pt电极，上电极用 速、低功耗集成电路的需求，使得晶体管的特征尺寸越 x10q 金属掩模板形成电极图形(面积为1．96 rn2)。 来越小，其结果就是必须减小Si0：栅介质层的厚度， 以维持栅极与沟道之间的电容不变。然而Si02栅厚 体参数分析仪等对Hf02薄膜及MOS电容器件进行 度的减薄是有物理极限的，当Si0。栅厚度达到1．5 了电学性能表征，该测试在避光、电屏蔽的条件下进 rlm时(5个原子层厚度)直接隧穿引起的栅极漏电将